【摘要】：通過電化學工作站對p型2英寸(1英寸=2.54 cm)Ge晶圓進行了研究,結(jié)合Alpsitec E460拋光機、原子力顯微鏡(AFM)驗證電化學研究對于Ge的化學機械拋光的理論指導意義。結(jié)果表明:NaOH作為pH調(diào)節(jié)劑對Ge具備著比KOH,NH_3·H_2O作為pH調(diào)節(jié)劑更強的腐蝕性;在H_2O_2濃度一定的條件下,Ge的腐蝕性隨著電解液中pH值的增加而增加;在pH相同的條件下,NaClO對Ge的腐蝕性要高于H_2O_2對Ge的腐蝕性。使用Alpsitec E460機臺對電化學測試結(jié)果進行驗證比較,經(jīng)過條件優(yōu)化,在5%(質(zhì)量分數(shù))的SiO_2磨料,1%(原子分數(shù))的H_2O_2,pH=9條件下對Ge晶圓進行化學機械拋光得到Ge的拋光速率為299.87 nm·min~(-1),通過AFM觀測拋光120 s后Ge晶圓表面粗糙度RMS=1.86 nm(10μm×10μm),線粗糙度Ra可達0.137 nm。說明了Ge的電化學測試可以有效為實際的CMP研究提供可靠的理論指導。
[Abstract]:The p-type 2-inch (1 inch = 2.54 cm) Ge) wafer was studied by an electrochemical workstation. The theoretical significance of electrochemical study for the chemical-mechanical polishing of Ge was verified by combining with Alpsitec E460 polishing machine and atomic force microscope (AFM) (AFM). The results show that NaOH as a pH regulator is more corrosive to Ge than KOH,NH_3 H _ 2O as pH regulator, and the corrosion of Ge increases with the increase of pH value in electrolyte under the condition of constant H_2O_2 concentration. Under the same pH conditions, NaClO is more corrosive to Ge than H_2O_2 to Ge. The electrochemical test results were verified and compared by Alpsitec E460 machine. After optimizing the conditions, the SiO_2 abrasive of 5% (mass fraction) and the H _ 2O _ 2 of 1% (atomic fraction) were compared. The polishing rate of Ge wafer is 299.87 nm min~ (-1) by chemical-mechanical polishing under pH=9. The surface roughness of Ge wafer (10 渭 m 脳 10 渭 m), line roughness Ra) can be up to 0.137 nm. after AFM observation. The results show that the electrochemical measurement of Ge can provide reliable theoretical guidance for practical CMP research.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電子信息工程學院天津市電子材料與器件重點實驗室;
【基金】：河北省高層次人才資助項目百人計劃項目(E2013100006)資助
【分類號】：TN305.2

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