發(fā)布時間：2018-12-15 18:39

【摘要】：溝槽柵場終止型代表了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的最新結構。由于溝槽柵結構與平面柵結構在基區(qū)載流子輸運、柵極結電容計算等方面存在較大的不同,沿用平面柵結構的建模方法不可避免會存在較大的偏差�；趯喜蹡艌鼋K止型IGBT結構特點及模型坐標系的分析,考慮載流子二維效應將基區(qū)分成PNP和PIN兩部分,根據PIN部分的溝槽柵能否被PNP部分的耗盡層覆蓋分析了柵極結電容計算方法,提出一種溝槽柵場終止型IGBT瞬態(tài)數(shù)學模型,并進行仿真與實驗驗證。
[Abstract]:The groove gate field termination represents the latest structure of the insulated gate bipolar transistor (IGBT). Due to the large differences between the groove gate structure and the planar gate structure in the carrier transport in the base region and the calculation of the gate junction capacitance, it is inevitable that there will be a big deviation in the modeling method using the planar gate structure. Based on the analysis of the characteristics of the grooved gate field terminating IGBT structure and the model coordinate system, the basis is divided into two parts, PNP and PIN, considering the two-dimensional carrier effect. According to whether the groove gate of PIN can be covered by the depletion layer of PNP part, the calculation method of gate junction capacitance is analyzed, and a transient mathematical model of IGBT with groove gate field termination is proposed, and the simulation and experimental results are carried out.
【作者單位】： 海軍工程大學艦船綜合電力技術國防科技重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金重大項目(51490681);國家自然科學基金青年項目(51507185)資助 國家重點基礎研究發(fā)展計劃(973計劃)(2015CB251004)
【分類號】：TN322.8

【參考文獻】

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本文編號：2381105