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雙層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光場效應(yīng)晶體管的制備和性能研究

發(fā)布時間:2018-12-10 13:50
【摘要】:有機(jī)發(fā)光場效應(yīng)晶體管(organic light-emitting transistors, OLETs)同時具備有機(jī)場效應(yīng)晶體管(organic field effect transistors, OFETs)的電路調(diào)制功能,以及有機(jī)發(fā)光二極管(organic light-emitting diode, OLEDs)的發(fā)光功能,在平板顯示、光通訊、固體照明、以及電泵浦有機(jī)激光器等領(lǐng)域存在著巨大的應(yīng)用價值。高性能的OLETs要求器件不僅具有高遷移率,還要求空穴和電子的遷移率達(dá)到平衡。異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的OLETs的半導(dǎo)體層由N型材料和P型材料組成,通過對兩種材料的調(diào)整,可以有效平衡兩種載流子的遷移率。本文對雙層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的OLETs進(jìn)行了研究。首先,為了給雙層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的OLETs的制備作好準(zhǔn)備,本文分別制備了基于N型材料P13和基于P型材料DH6T的單層OFET器件,并對它們的性能進(jìn)行了優(yōu)化。緊接著,本文制備了基于P13/DH6TPN結(jié)的OLETs,當(dāng)在P13層和DH6T層的厚度分別為28nm和25nm的器件的有機(jī)層和源/漏電極間插入一層Mo03以修飾Au電極后,成功提高了空穴的遷移率,制備出了具有平衡的空穴和電子遷移率的OLETs.在對該器件進(jìn)行測試時,成功觀測到了在空氣中穩(wěn)定持續(xù)的發(fā)光現(xiàn)象。另外,本文也制備并研究了基于P13/Pentacene PN異質(zhì)結(jié)的OLETs,得到的器件性能良好,在器件使用Ag電極時我們在電極附近拍攝到了明亮的綠色光。此外,本文成功地將雙層有機(jī)絕緣層PMMA交聯(lián)PVP引入到基于P13/DH6T PN結(jié)的OLETs中。該有機(jī)絕緣層能夠有效提高器件的性能,而且,它的在OLETs中的成功應(yīng)用也為柔性O(shè)LETs的制備奠定了基礎(chǔ)。另外,文章還對如何提高該絕緣層的耐高壓性能進(jìn)行了探究。
[Abstract]:The organic light-emitting field effect transistor (organic light-emitting transistors, OLETs) has the circuit modulation function of (organic field effect transistors, OFETs) and the light-emitting diode (organic light-emitting diode, OLEDs) of the organic light-emitting diode (organic light-emitting diode, OLEDs), which is displayed on the flat panel. Optical communication, solid state lighting and electrically pumped organic lasers have great application value. High performance OLETs requires not only high mobility, but also a balance between hole and electron mobility. The semiconductor layer of OLETs with heterojunction structure is composed of N-type material and P-type material. By adjusting the two materials, the mobility of the two carriers can be effectively balanced. In this paper, the OLETs of double layer heterojunction structure is studied. Firstly, in order to prepare the preparation of double-layer heterojunction OLETs, single-layer OFET devices based on N-type P13 and P-type DH6T were fabricated, and their properties were optimized. Then, OLETs, based on P13/DH6TPN junction was prepared. When a layer of Mo03 was inserted between the organic layer of P13 layer and the 28nm layer of DH6T layer and the source / leakage electrode to modify the Au electrode, the hole mobility was improved successfully. OLETs. with equilibrium hole and electron mobility was prepared. The stable and persistent luminescence in the air was observed successfully when the device was tested. In addition, the performance of OLETs, based on P13/Pentacene PN heterojunction is also investigated. When the Ag electrode is used, we get bright green light near the electrode. In addition, PMMA crosslinked PVP with double layer organic insulating layer is successfully introduced into OLETs based on P13/DH6T PN junction. The organic insulation layer can effectively improve the performance of the device, and its successful application in OLETs also lays a foundation for the preparation of flexible OLETs. In addition, how to improve the high-voltage resistance of the insulating layer is also discussed.
【學(xué)位授予單位】:南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TN386

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本文編號:2370684

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