【摘要】：對(duì)降低鈮酸鋰(LN)電光調(diào)制器的半波電壓進(jìn)行了研究,探索了利用反射結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低半波電壓的原理。通過退火質(zhì)子交換工藝在x切LN晶片上制作了反射結(jié)構(gòu)的LN電光調(diào)制器。測(cè)試表明,這種反射結(jié)構(gòu)的LN電光調(diào)制器在保持器件長度不變的條件下可以降低半波電壓。
[Abstract]:The reduction of half-wave voltage of lithium niobate (LN) electro-optic modulator is studied, and the principle of using reflection structure to realize low half-wave voltage is explored. A reflective LN electro-optic modulator was fabricated on x-cut LN wafer by annealing proton exchange process. The test results show that the LN electro-optic modulator with reflective structure can reduce the half-wave voltage while keeping the length of the device constant.
【作者單位】： 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;電子科技大學(xué)通信與信息工程學(xué)院;
【分類號(hào)】：TN761

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本文編號(hào)：2359317