【摘要】：以Ⅲ族氮化物為代表的第三代半導(dǎo)體材料,具有直接帶隙、高的電子遷移率、高的熱導(dǎo)率、穩(wěn)定的化學(xué)和機械性質(zhì)等,在電學(xué)、磁學(xué)和光學(xué)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。尤其是AlxGa1-xN材料,其能隙隨鋁含量變化可以在3.4eV到6.2eV范圍間連續(xù)可調(diào),對應(yīng)波長范圍為220-290nm,可被廣泛的應(yīng)用在LED、HEMT以及UV detector中,用不同技術(shù)制備A1GaN薄膜及其性能分析成為研究熱點。本文首先采用磁控濺射和高溫氨化兩步法在硅襯底上分別以氧化鎵為鎵源、氧化鋁為鋁源、氮氣和氨氣為氮源生長出了GaN和A1N薄膜,研究了氨化溫度、工作氣壓、濺射時間對GaN生長的影響以及襯底溫度、N2濃度、工作氣壓對A1N生長的影響。然后在GaN和A1N制備優(yōu)化的工藝基礎(chǔ)上,采用磁控濺射和高溫氨化兩步法,通過調(diào)整工藝參數(shù)制備出A1GaN晶體薄膜。通過對所制備出的樣品進行XRD、SEM、 EDS表征分析,研究了不同工藝因素對AlGaN生長的影響。結(jié)果表明：磁控濺射和高溫氨化兩步法在硅襯底上可以制備出AlGaN薄膜；襯底溫度、濺射功率、氮氣濃度對A1GaN薄膜質(zhì)量影響很大,在襯底溫度600℃、濺射功率150W、氮氣濃度25%工藝條件下制備出的AlGaN薄膜質(zhì)量好。測試樣品的PL譜在365nm、510nm和740nm處出現(xiàn)發(fā)光峰；對樣品進行霍爾測試,樣品均為n型,分析了不同A1組分樣品載流子濃度和遷移率的變化規(guī)律：發(fā)現(xiàn)隨著Al組分增大,載流子濃度增大,遷移率減小。
[Abstract]:The third generation semiconductor materials, represented by 鈪，

本文編號：2348237