【摘要】：已有研究表明,絕緣柵雙極性晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的可靠性與結(jié)溫波動(dòng)密切相關(guān),如能準(zhǔn)確地實(shí)時(shí)測(cè)量IGBT的結(jié)溫,對(duì)可靠性的研究具有重要意義。依據(jù)溫敏電參數(shù)法,該文提出一種基于柵極電壓開通密勒平臺(tái)的結(jié)溫估計(jì)方法。首先分析IGBT柵極寄生電容的物理特性與溫度的關(guān)系,得到柵極開通過(guò)程中密勒平臺(tái)電壓與結(jié)溫線性相關(guān);然后提出采用恒流驅(qū)動(dòng)電路延長(zhǎng)柵極電壓開通過(guò)程中密勒平臺(tái)持續(xù)時(shí)間,使其溫敏感度與溫線性度更高,可擬合出密勒平臺(tái)值和結(jié)溫間的線性關(guān)系;最后采用該方法對(duì)IGBT模塊的結(jié)溫估算進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,并與采用紅外測(cè)溫儀實(shí)時(shí)測(cè)量的結(jié)溫進(jìn)行對(duì)比,驗(yàn)證了所提方法的可行性和準(zhǔn)確性。
[Abstract]:It has been shown that the reliability of insulated gate bipolar transistor (insulated gate bipolar transistor,IGBT) is closely related to the junction temperature fluctuation. If the junction temperature of IGBT can be measured accurately and in real time, it is of great significance to the study of reliability. According to the method of temperature sensitive electrical parameters, this paper presents a method of junction temperature estimation based on grid voltage turn-on Miller platform. Firstly, the relationship between the physical characteristics of parasitic capacitance of IGBT gate and temperature is analyzed, and the linear correlation between the voltage of Miller platform and junction temperature is obtained. Then the constant current drive circuit is used to extend the duration of the Miller platform in the process of grid voltage opening, which makes the temperature sensitivity and temperature linearity higher, which can fit the linear relationship between Miller platform value and junction temperature. Finally, this method is used to verify the junction temperature estimation of IGBT module, and compared with that measured by infrared thermometer in real time, the feasibility and accuracy of the proposed method are verified.
【作者單位】： 輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(重慶大學(xué));
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(51137006);國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51577020)~~
【分類號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：2325102