【摘要】：提出了一種在陽極引入浮空P型埋層的新型場截止絕緣柵晶體管(FS-IGBT)。結(jié)合超結(jié)與陽極短路的思想,在相同仿真條件下,與傳統(tǒng)FS-IGBT相比,新結(jié)構(gòu)的擊穿電壓提高了13.9%。當通態(tài)電流密度為150A/cm~2時,新結(jié)構(gòu)的優(yōu)化壓降增量小于9%,關斷時間比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)降低了60%以上,并且工作時無負阻現(xiàn)象,實現(xiàn)了導通壓降與關斷功耗的良好折中。
[Abstract]:A novel field cut-off insulated gate transistor (FS-IGBT) with floating P buried layer at the anode is proposed. Combined with the idea of over-junction and anodic short-circuit, the breakdown voltage of the new structure is increased by 13.9% compared with the traditional FS-IGBT under the same simulation conditions. When the on-state current density is 150A / cm ~ 2, the optimized voltage drop increment of the new structure is less than 9, the turn-off time is more than 60% lower than that of the traditional structure, and there is no negative resistance in the operation, so a good compromise between the on-voltage drop and the turn-off power consumption is achieved.
【作者單位】： 南京郵電大學電子科學與工程學院;東南大學國家專用集成電路系統(tǒng)工程技術研究中心;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61274080) 中國博士后科學基金資助項目(2013M541585)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：2290123