發(fā)布時間：2018-10-23 06:38

【摘要】：憶阻器作為一種新提出的電子元器件,有著類似于電阻的基本物理屬性,但是也有區(qū)別于電阻,具備其本身特有的性質(zhì),它是一種非線性電阻(nonlinear resistor)并且?guī)в杏洃浌δ?可以記憶起通過憶阻兩端的電荷q的數(shù)量。換言之,要想知道流經(jīng)憶阻器的電荷q的數(shù)量可以通過測量其兩端阻值的變化量來進行理論計算。關鍵是這種變化在切斷電源時也能保持,因此這是憶阻器作為非易失性存儲器的主要原因�，F(xiàn)在社會是信息快速發(fā)展的時代,隨之而來在我們生活周邊產(chǎn)生了大量的數(shù)據(jù),因此人們對大數(shù)據(jù)的處理和存儲需求更加急切。非易失的記憶能力是憶阻器所特有的性質(zhì),它能以電阻瞬態(tài)的形式在很短的時間內(nèi)把信息記錄下來,而整個過程只需耗費幾皮焦耳的能量。如果我們把數(shù)據(jù)下載到憶阻器,即便突然把電源斷開,數(shù)據(jù)也不會丟失。只要重新通上電就可以恢復到斷電前的電阻狀態(tài),從而“記憶”起之前所載入的數(shù)據(jù)。這給電路設計,大數(shù)據(jù)的處理和存儲等領域提供了新的創(chuàng)新思路和解決方案。同時,由于憶阻器具有的非易失的存儲、集成度高、記憶能力強、信息存取時間快、存儲能耗低等方面的優(yōu)勢。在電路設計方面,憶阻器的加入,能使集成電路在現(xiàn)有元件基礎上更加微型,計算機運行速度更快,功耗更低。把憶阻電路應用到人工智能中,能夠大范圍的減少人工智能的規(guī)模,同時也可增強智能信息的處理能力。在對大數(shù)據(jù)的處理和存儲方面,憶阻器的加入,其產(chǎn)生的優(yōu)勢比傳統(tǒng)存儲介質(zhì)的優(yōu)勢更加明顯,這將大大改善現(xiàn)在存儲的架構和方式,并且憶阻器的加入成為存儲和處理大數(shù)據(jù)的一個優(yōu)秀的解決方案。應用憶阻器非線性特性,在非線性電路中如果加入憶阻器,就可以產(chǎn)生振蕩信號或產(chǎn)生一些混沌動力學行為,這為非線性電路的研究提供了比較新穎的思路。同時在現(xiàn)實中,研究基于憶阻器的振蕩電路的穩(wěn)定性、混沌、分岔等動力學行為,已經(jīng)受到了越來越多的關注。其中,研究振蕩電路的穩(wěn)定性理論條件十分關鍵,它可以用來指導我們的實際應用。同時,耦合的憶阻振蕩電路也有濾波、能量存儲、能量傳輸和隔離阻抗變換等作用。然而在目前,大多數(shù)的耦合的振蕩系統(tǒng)都局限于兩個振蕩器的耦合。但是,在實際應用中,相互同步的系統(tǒng)都包含大量的振蕩器,因此,對于分析多耦合的振蕩系統(tǒng)的多模振蕩的穩(wěn)定性問題是非常關鍵的。那么,從憶阻器的這些特性以及針對多耦合的振蕩系統(tǒng)的多模振蕩的穩(wěn)定性分析的研究現(xiàn)狀出發(fā),設計出多耦合的振蕩系統(tǒng),并對系統(tǒng)的多模振蕩的穩(wěn)定性進行分析,就顯得尤其重要。因此,在本論文中,第二章設計了基于憶阻器的振蕩電路,然后在此基礎上把憶阻振蕩電路用電感L耦合起來,建立了一個多耦合的振蕩系統(tǒng)。不失一般性,本論文主要討論了三個相互耦合的振蕩器電路,并分析這個耦合電路的多模振蕩的穩(wěn)定性。本論文還主要利用Krylov-Bogoliubov線性化方法和系統(tǒng)的雅克比矩陣(Jacobian matrix)的方法去分析這樣電路的多模振蕩的穩(wěn)定性,并在接下來對其進行了數(shù)值仿真驗證分析,驗證理論分析的正確性。最后,又設計了用電容C把憶阻振蕩電路耦合起來的系統(tǒng),并進行了簡單的電路分析,接著,以此為契機,對下一步的工作進行了展望,并對本論文所得的結論進行了總結。
[Abstract]:......
【學位授予單位】：西南大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：TN60

【參考文獻】

相關期刊論文 前7條

1 洪慶輝;曾以成;李志軍;;含磁控和荷控兩種憶阻器的混沌電路設計與仿真[J];物理學報;2013年23期

2 包伯成;胡文;許建平;劉中;鄒凌;;憶阻混沌電路的分析與實現(xiàn)[J];物理學報;2011年12期

3 包伯成;王其紅;許建平;;基于憶阻元件的五階混沌電路研究[J];電路與系統(tǒng)學報;2011年02期

4 ;Progress in rectifying-based RRAM passive crossbar array[J];Science China(Technological Sciences);2011年04期

5 叢秋波;;最新MM存儲能力提升到16Mb[J];電子設計技術;2010年07期

6 包伯成;劉中;許建平;;憶阻混沌振蕩器的動力學分析[J];物理學報;2010年06期

7 包伯成;劉中;許建平;;Transient chaos in smooth memristor oscillator[J];Chinese Physics B;2010年03期

相關碩士學位論文 前2條

1 王偉;一種改進的磁控型憶阻器電路模型及其在MC振蕩電路中的應用[D];國防科學技術大學;2014年

2 賀少斌;基于憶阻器的非線性電路特性研究[D];廣西大學;2013年

，

本文編號：2288311