【摘要】：建立典型半導體器件系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應計算模型,對在瞬態(tài)X射線輻照下電纜末端典型n~+-p-n-n~+結(jié)構(gòu)的雙極晶體管負載的系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應進行研究,得到了綜合效應現(xiàn)象,分析了綜合效應機理,總結(jié)了綜合效應規(guī)律。在系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應作用下,雙極晶體管內(nèi)部,由于載流子數(shù)量劇增,其反向擊穿閾值降低,綜合效應比單一效應更易造成雙極晶體管的毀傷。編制的系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應計算程序可用于分析電子學系統(tǒng)中其他類型半導體器件的效應機理與規(guī)律。
[Abstract]:A comprehensive model of electromagnetic pulse and dose rate for typical semiconductor device system is established. The integrated effect of electromagnetic pulse and dose rate on the load of typical np-n-n~ structure bipolar transistor at the end of cable under transient X-ray irradiation is studied. The phenomenon of comprehensive effect is obtained, the mechanism of comprehensive effect is analyzed, and the law of comprehensive effect is summarized. Under the combined effect of electromagnetic pulse and dose rate, the reverse breakdown threshold of bipolar transistor decreases because of the sharp increase in the number of carriers, and the synthesis effect is more likely to damage the bipolar transistor than the single effect. The program can be used to analyze the effect mechanism and law of other kinds of semiconductor devices in electronic system.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應國家重點實驗室;
【基金】：強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應國家重點實驗室基金項目(SKLIPR1403)
【分類號】：TN322.8

【參考文獻】

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2 趙墨;程引會;吳偉;馬良;李進璽;周輝;李寶忠;朱夢;;二極管負載電纜X射線輻照瞬態(tài)響應數(shù)值模擬[J];強激光與粒子束;2013年02期

3 李進璽;程引會;周輝;吳偉;;用傳輸線和時域有限差分法計算電纜X射線響應[J];強激光與粒子束;2007年12期

4 陳曦;杜正偉;龔克;;外電路在電磁脈沖對雙極型晶體管作用過程中的影響[J];強激光與粒子束;2007年07期

5 李進璽;程引會;周輝;郭紅霞;;屏蔽電纜對脈沖X射線響應的數(shù)值計算[J];強激光與粒子束;2006年06期

6 周懷安;杜正偉;龔克;;雙極型晶體管損壞與強電磁脈沖注入位置的關(guān)系[J];強激光與粒子束;2006年04期

7 周懷安;杜正偉;龔克;;雙極型晶體管在強電磁脈沖作用下的瞬態(tài)響應[J];強激光與粒子束;2005年12期

【共引文獻】

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1 趙墨;吳偉;程引會;郭景海;李進璽;馬良;劉逸飛;;雙極晶體管的系統(tǒng)電磁脈沖與劑量率綜合效應[J];強激光與粒子束;2017年02期

2 馬良;周輝;郭景海;吳偉;程引會;李進璽;趙墨;劉逸飛;;電纜X射線輻射感應電導率引起的非線性效應[J];強激光與粒子束;2016年11期

3 閆濤;李平;;高電子遷移率晶體管放大器高功率微波損傷機理[J];強激光與粒子束;2016年10期

4 李志鵬;李晶;孫靜;劉陽;方進勇;;高功率微波作用下高電子遷移率晶體管的損傷機理[J];物理學報;2016年16期

5 席曉文;柴常春;趙剛;楊銀堂;于新海;劉陽;;Damage effect and mechanism of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse[J];Chinese Physics B;2016年04期

6 黃志娟;劉美琴;貢頂;李勇;楊志強;;GGMOS型靜電放電防護器件的高功率微波效應[J];強激光與粒子束;2016年03期

7 趙墨;吳偉;李進璽;程引會;郭景海;劉逸飛;;基于Verilog-A模型的同軸電纜X射線響應電路仿真[J];強激光與粒子束;2015年10期

8 程晉利;劉遠;劉健波;魏愛香;恩云飛;毛從光;;雙極型電壓比較器的強電磁脈沖效應[J];微電子學;2015年03期

9 劉起坤;周東方;邢鋒;雷雪;余道杰;王宇;;三維感應場率有限長柱體陣列高功率微波輻照特性分析[J];強激光與粒子束;2015年05期

10 趙墨;胡淑玲;申勝平;程引會;吳偉;李進璽;馬良;郭景海;;TLM-DDM耦合模型電磁脈沖環(huán)境適用性研究[J];核電子學與探測技術(shù);2015年01期

【二級參考文獻】

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4 陳曦;杜正偉;龔克;;基極注入強電磁脈沖對雙極型晶體管的作用[J];強激光與粒子束;2007年03期

5 李進璽;程引會;周輝;郭紅霞;;屏蔽電纜對脈沖X射線響應的數(shù)值計算[J];強激光與粒子束;2006年06期

6 周懷安;杜正偉;龔克;;雙極型晶體管損壞與強電磁脈沖注入位置的關(guān)系[J];強激光與粒子束;2006年04期

7 周懷安;杜正偉;龔克;;雙極型晶體管在強電磁脈沖作用下的瞬態(tài)響應[J];強激光與粒子束;2005年12期

8 周懷安,杜正偉,龔克;快上升沿電磁脈沖作用下PIN二極管中的電流過沖現(xiàn)象[J];強激光與粒子束;2005年05期

9 程引會,周輝,喬登江,吳偉;帶阻性負載細導線對電磁脈沖響應的有限差分算法[J];強激光與粒子束;2005年02期

10 陳海林,陳彬,李正東,易韻,陸峰;不同電磁脈沖作用下地面有限長電纜外導體感應電流的數(shù)值計算[J];強激光與粒子束;2004年10期

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3 李進璽;程引會;吳偉;周輝;;圓柱腔體內(nèi)系統(tǒng)電磁脈沖計算軟件[A];第十四屆全國核電子學與核探測技術(shù)學術(shù)年會論文集（2）[C];2008年

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本文編號：2262348