重?fù)脚鸸杵砻媲逑囱芯?/H1>
發(fā)布時間：2018-08-07 08:59
【摘要】：研究了SC-1清洗過程對重?fù)脚鸷洼p摻硼硅片表面顆粒、微粗糙度的影響及其清洗后硅片表面化學(xué)組態(tài)分布,采用表面顆粒激光掃描儀、原子力顯微鏡及X射線光電子能譜(XPS)對重?fù)脚鸷洼p摻硼硅片在SC-1清洗過程中表現(xiàn)的不同清洗特性進行分析。結(jié)果表明:在SC-1清洗中,重?fù)脚鸸杵砻娓菀孜筋w粒,需要更長的清洗時間來得到清潔表面;隨清洗時間延長,重輕摻硅片表面微粗糙度均有增大趨勢,且重?fù)脚鸸杵砻嫖⒋植诙仁冀K比輕摻硼硅片大,通過表面高度結(jié)果可知,相同清洗條件下,重?fù)脚鸸杵砻婵v向腐蝕深度比輕摻硼大0.3 nm,與(111)面的晶面間距相近;XPS結(jié)果顯示重?fù)脚鸸鑶尉е写罅颗鹪拥囊雽C-1清洗過程中的各向異性腐蝕有一定的增強效果,適當(dāng)改變SC-1清洗中的氧化劑的含量有助于得到更好的表面質(zhì)量。
[Abstract]:The effect of SC-1 cleaning process on the surface particles of heavy and light boron doped silicon wafers and the distribution of chemical configuration on the surface of the wafers after cleaning were studied. The surface particle laser scanner was used. Atomic force microscopy (AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to analyze the different cleaning characteristics of heavy and light boron doped silicon wafers during SC-1 cleaning. The results show that the surface of heavy boron doped silicon wafer is easier to adsorb particles and need longer cleaning time to get clean surface during SC-1 cleaning, and the surface roughness of heavy and light doped silicon wafers increases with the increase of cleaning time. The surface microroughness of heavy boron doped silicon wafer is always greater than that of light boron doped silicon wafer. The results of surface height show that under the same cleaning conditions, The longitudinal corrosion depth of heavy boron doped silicon wafer is 0.3 nm larger than that of light boron doped silicon wafer. The results of XPS show that the introduction of a large number of boron atoms in heavily boron doped silicon single crystal can enhance the anisotropic corrosion during SC-1 cleaning. Proper change of oxidant content in SC-1 cleaning is helpful to obtain better surface quality.
【作者單位】： 北京有色金屬研究總院有研半導(dǎo)體材料有限公司;
【基金】：國家科技重大專項項目(2010zx02302-001)資助
【分類號】：TN304.12
【參考文獻】
相關(guān)期刊論文 前2條
1 馮峰;瞿體明;肖紹鑄;張燕怡;史鍇;韓征和;;哈氏合金表面粗糙度AFM測量中掃描尺度等問題研究[J];稀有金屬;2014年02期
2 呂菲;耿博耘;于妍;楊洪星;劉鋒;;直拉重?fù)脚鸸鑶尉У膲A腐蝕特性研究[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2013年09期
【共引文獻】
相關(guān)期刊論文 前3條
1 顧張冰;牛新環(huán);劉玉嶺;高寶紅;王辰偉;鄧海文;;超精密加工中銅表面CMP后殘余金屬氧化物的去除[J];稀有金屬;2017年02期
2 墨京華;李俊峰;劉大力;劉斌;魯進軍;周旗鋼;;重?fù)脚鸸杵砻媲逑囱芯縖J];稀有金屬;2017年01期
3 孫新利;黃笑容;徐一俊;郭兵健;何國君;陸燕;祖國;;摻雜濃度對重?fù)脚鹬崩?lt;111>單晶硅小角晶界的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2014年11期
【二級參考文獻】
相關(guān)期刊論文 前5條
1 滿延林;王宇飛;楊剛;于海濤;王雪梅;;返回次數(shù)對鎳基K4169合金組織及性能的影響[J];稀有金屬;2012年01期
2 馮峰;史鍇;瞿體明;魏俊俊;吳蔚;張燕怡;肖紹鑄;韓征和;;制備高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體的技術(shù)路線分析[J];中國材料進展;2011年03期
3 李春龍,沈益軍,楊德仁,馬向陽,余學(xué)功,闕端麟;直拉重?fù)脚鸸鑶尉У难芯窟M展[J];稀有金屬;2003年03期
4 姜巖峰,黃慶安,吳文剛,郝一龍,楊振川;硅在KOH中各向異性腐蝕的物理模型[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2002年04期
5 謝書銀;硅片化學(xué)腐蝕及其在電力半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用[J];電力電子技術(shù);1999年03期
【相似文獻】
相關(guān)期刊論文 前5條
1 彭昭廉,黃秋芝,喻建英;摻硼多晶硅的制備及其電阻率[J];半導(dǎo)體技術(shù);1992年02期
2 馮志新;;高性能摻硼γ-Fe_2O_3[J];磁記錄材料;1991年04期
3 汪昌州;楊仕娥;趙尚麗;文書堂;盧景霄;;摻硼a-Si:H薄膜脈沖快速光熱退火(PRPTA)的研究[J];真空;2007年03期
4 李小麗;吳婧;沈國勵;俞汝勤;;半胱氨酸修飾的摻硼金剛石電極用于尿酸的測定[J];化學(xué)傳感器;2006年02期
5 ;[J];;年期
相關(guān)會議論文 前3條
1 卓瓊芳;楊波;鄧述波;黃俊;余剛;;摻硼金剛石電極對全氟辛酸鈉的降解[A];第六屆全國環(huán)境化學(xué)大會暨環(huán)境科學(xué)儀器與分析儀器展覽會摘要集[C];2011年
2 屈芳;白亦真;姜辛;;高摻硼多晶金剛石薄膜的XPS分析[A];第十四屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議暨第五屆中國電推進技術(shù)學(xué)術(shù)研討會會議摘要集[C];2009年
3 張延榮;張英;楊楠;廖文娟;;摻硼金剛石薄膜電極降解藻毒素MC-LR[A];第六屆全國環(huán)境化學(xué)大會暨環(huán)境科學(xué)儀器與分析儀器展覽會摘要集[C];2011年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前4條
1 劉召志;BDD/Ti電極性能增強技術(shù)研究[D];南京航空航天大學(xué);2015年
2 陳樂;摻硼富硅氧化硅薄膜光電性能的研究[D];浙江大學(xué);2013年
3 邢劍飛;摻硼金剛石薄膜電極處理難降解廢水的研究[D];上海交通大學(xué);2013年
4 胡珊;摻硼鐵氧化物性質(zhì)及其對有機污染物的光催化降解效果研究[D];華中農(nóng)業(yè)大學(xué);2011年
，
本文編號：2169533
本文鏈接：http://www.sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2169533.html
[Abstract]:The effect of SC-1 cleaning process on the surface particles of heavy and light boron doped silicon wafers and the distribution of chemical configuration on the surface of the wafers after cleaning were studied. The surface particle laser scanner was used. Atomic force microscopy (AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to analyze the different cleaning characteristics of heavy and light boron doped silicon wafers during SC-1 cleaning. The results show that the surface of heavy boron doped silicon wafer is easier to adsorb particles and need longer cleaning time to get clean surface during SC-1 cleaning, and the surface roughness of heavy and light doped silicon wafers increases with the increase of cleaning time. The surface microroughness of heavy boron doped silicon wafer is always greater than that of light boron doped silicon wafer. The results of surface height show that under the same cleaning conditions, The longitudinal corrosion depth of heavy boron doped silicon wafer is 0.3 nm larger than that of light boron doped silicon wafer. The results of XPS show that the introduction of a large number of boron atoms in heavily boron doped silicon single crystal can enhance the anisotropic corrosion during SC-1 cleaning. Proper change of oxidant content in SC-1 cleaning is helpful to obtain better surface quality.
【作者單位】： 北京有色金屬研究總院有研半導(dǎo)體材料有限公司;
【基金】：國家科技重大專項項目(2010zx02302-001)資助
【分類號】：TN304.12
【參考文獻】
相關(guān)期刊論文 前2條
1 馮峰;瞿體明;肖紹鑄;張燕怡;史鍇;韓征和;;哈氏合金表面粗糙度AFM測量中掃描尺度等問題研究[J];稀有金屬;2014年02期
2 呂菲;耿博耘;于妍;楊洪星;劉鋒;;直拉重?fù)脚鸸鑶尉У膲A腐蝕特性研究[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2013年09期
【共引文獻】
相關(guān)期刊論文 前3條
1 顧張冰;牛新環(huán);劉玉嶺;高寶紅;王辰偉;鄧海文;;超精密加工中銅表面CMP后殘余金屬氧化物的去除[J];稀有金屬;2017年02期
2 墨京華;李俊峰;劉大力;劉斌;魯進軍;周旗鋼;;重?fù)脚鸸杵砻媲逑囱芯縖J];稀有金屬;2017年01期
3 孫新利;黃笑容;徐一俊;郭兵健;何國君;陸燕;祖國;;摻雜濃度對重?fù)脚鹬崩?lt;111>單晶硅小角晶界的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2014年11期
【二級參考文獻】
相關(guān)期刊論文 前5條
1 滿延林;王宇飛;楊剛;于海濤;王雪梅;;返回次數(shù)對鎳基K4169合金組織及性能的影響[J];稀有金屬;2012年01期
2 馮峰;史鍇;瞿體明;魏俊俊;吳蔚;張燕怡;肖紹鑄;韓征和;;制備高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體的技術(shù)路線分析[J];中國材料進展;2011年03期
3 李春龍,沈益軍,楊德仁,馬向陽,余學(xué)功,闕端麟;直拉重?fù)脚鸸鑶尉У难芯窟M展[J];稀有金屬;2003年03期
4 姜巖峰,黃慶安,吳文剛,郝一龍,楊振川;硅在KOH中各向異性腐蝕的物理模型[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2002年04期
5 謝書銀;硅片化學(xué)腐蝕及其在電力半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用[J];電力電子技術(shù);1999年03期
【相似文獻】
相關(guān)期刊論文 前5條
1 彭昭廉,黃秋芝,喻建英;摻硼多晶硅的制備及其電阻率[J];半導(dǎo)體技術(shù);1992年02期
2 馮志新;;高性能摻硼γ-Fe_2O_3[J];磁記錄材料;1991年04期
3 汪昌州;楊仕娥;趙尚麗;文書堂;盧景霄;;摻硼a-Si:H薄膜脈沖快速光熱退火(PRPTA)的研究[J];真空;2007年03期
4 李小麗;吳婧;沈國勵;俞汝勤;;半胱氨酸修飾的摻硼金剛石電極用于尿酸的測定[J];化學(xué)傳感器;2006年02期
5 ;[J];;年期
相關(guān)會議論文 前3條
1 卓瓊芳;楊波;鄧述波;黃俊;余剛;;摻硼金剛石電極對全氟辛酸鈉的降解[A];第六屆全國環(huán)境化學(xué)大會暨環(huán)境科學(xué)儀器與分析儀器展覽會摘要集[C];2011年
2 屈芳;白亦真;姜辛;;高摻硼多晶金剛石薄膜的XPS分析[A];第十四屆全國等離子體科學(xué)技術(shù)會議暨第五屆中國電推進技術(shù)學(xué)術(shù)研討會會議摘要集[C];2009年
3 張延榮;張英;楊楠;廖文娟;;摻硼金剛石薄膜電極降解藻毒素MC-LR[A];第六屆全國環(huán)境化學(xué)大會暨環(huán)境科學(xué)儀器與分析儀器展覽會摘要集[C];2011年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前4條
1 劉召志;BDD/Ti電極性能增強技術(shù)研究[D];南京航空航天大學(xué);2015年
2 陳樂;摻硼富硅氧化硅薄膜光電性能的研究[D];浙江大學(xué);2013年
3 邢劍飛;摻硼金剛石薄膜電極處理難降解廢水的研究[D];上海交通大學(xué);2013年
4 胡珊;摻硼鐵氧化物性質(zhì)及其對有機污染物的光催化降解效果研究[D];華中農(nóng)業(yè)大學(xué);2011年
，本文編號：2169533
本文鏈接：http://www.sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2169533.html
