【摘要】：通過液相外延方法,在碲鋅鎘襯底上制備了原位Au摻雜碲鎘汞薄膜材料,采用金相顯微鏡、X光雙晶衍射儀、二次離子質(zhì)譜儀、Hall測試、少子壽命測試等手段對Au摻雜的碲鎘汞薄膜材料進行了表征,外延片的表面形貌、晶格質(zhì)量等和常規(guī)的碲鎘汞外延材料基本相當,少子壽命較常規(guī)材料提高至少一個量級,芯片R_0A提高至少5倍,并成功制備出了截止波長為10μm的256×256探測器芯片,響應率非均勻性為2.85%,有效像元率為99.2%。
[Abstract]:In situ au doped HgCdTe thin films were prepared on zinc cadmium tellurium substrates by liquid phase epitaxy (LPE). X-ray double crystal diffractometer with metallographic microscope and Hall Hall measurement with secondary ion mass spectrometer were used. The au doped HgCdTe thin films were characterized by minority carrier lifetime measurements. The surface morphology and lattice quality of the au doped HgCdTe films were approximately the same as those of the conventional HgCdTe epitaxial materials, and the minority carrier lifetime was increased by at least one order of magnitude compared with the conventional materials. A 256 脳 256 detector chip with cutoff wavelength of 10 渭 m was successfully fabricated. The nonuniformity of response rate was 2.85 and the effective pixel rate was 99.2%.
【作者單位】： 華北光電技術(shù)研究所;
【分類號】：TN213

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6 趙Z礞，

本文編號：2134121