本文選題：AlN薄膜 + 六方氮化硼�。� 參考：《光子學報》2017年11期

【摘要】：利用單層六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作為成核層,用金屬有機物化學氣相沉積法生長AlN薄膜,得到應力小裂紋少的外延材料。實驗中,對hBN材料進行人為表面化學修飾,以增加hBN的缺陷和后續(xù)AlN生長的成核中心。對比分析了有無hBN成核層時生長的AlN薄膜質(zhì)量,證實了hBN有助于減少AlN外延層中的裂紋,空氣孔隙及應力。研究了V/III生長參數(shù)對AlN薄膜表面形貌、晶體質(zhì)量和應力的影響,得到合適的生長窗口,獲得完全無應力的氮化鋁外延層,且其位錯密度與藍寶石上生長的氮化鋁相當.
[Abstract]:AlN thin films were grown by metal-organic chemical vapor deposition with hexagonal BN (hexagonal BN: HBN) as nucleation layer. The epitaxial materials with less stress cracks were obtained. In order to increase the defects of hBN and the nucleation centers of subsequent AlN growth, the artificial surface chemical modification of hBN materials was carried out. The quality of AlN films grown with or without hBN nucleation layer is compared and analyzed. It is proved that hBN helps to reduce the cracks, air pores and stresses in AlN epitaxial layers. The effects of the growth parameters of V / III on the surface morphology, crystal quality and stress of AlN thin films were investigated. A suitable growth window was obtained, and a completely stress-free epitaxial layer of aluminum nitride was obtained, and the dislocation density was similar to that of Al _ 3N _ 4 grown on sapphire.
【作者單位】： 中國科學院半導體研究所照明研發(fā)中心;中國科學院大學;北京第三代半導體材料與應用工程技術(shù)研究中心;
【基金】：The National Key Research and Development Program(Nos.2016YFB04000803,2016YFB04000802) the National Natural Sciences Foundation of China(Nos.61376047,61527814,61674147,61376090,61204053) Beijing Municipal Science and Technology Project(No.D161100002516002) the National High Technology Program of China(Nos.2014AA032608,2011AA03A111) the National 1000Young Talents Program,and Youth Innovation Promotion Association CAS
【分類號】：TN304.055

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本文編號：2091041