本文選題：帶隙基準(zhǔn) + 低功耗　； 參考：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年09期

【摘要】：基于SMIC 28nm工藝實(shí)現(xiàn)了一種用于Flash的低功耗高精度的帶隙基準(zhǔn)電路,在傳統(tǒng)電壓模結(jié)構(gòu)上采用共源共柵結(jié)構(gòu)提高了各支路偏置電流的精度和PSRR,設(shè)計(jì)過(guò)程中仿真了器件所有corner,溫度范圍-40~125℃和電源電壓±10%的情況.300次Monte Carlo仿真輸出電壓平均值為1.196 42V,方差為5.011mV,溫度系數(shù)為7×10-6/℃,總電流僅為264nA,電源電壓為1.8V時(shí),最惡劣corner總電流為343nA,低頻1kHz電源抑制比為-78dB.該電路中設(shè)計(jì)了一款新的啟動(dòng)電路,該電路由帶負(fù)反饋的三支路偏置電路和施密特觸發(fā)器組成,極大地提高了電路的穩(wěn)定性,芯片版圖面積為105μm×110μm.
[Abstract]:Based on SMIC 28nm process, a low power and high precision bandgap reference circuit for Flash is implemented. In the traditional voltage-mode structure, the accuracy of bias current and PSRRs of each branch are improved by using the common-grid structure. In the process of design, all corners, temperature range -400.125 鈩，

本文編號(hào)：2069649