本文選題：X波段 + Ku波段　； 參考：《西安電子科技大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃鲝V泛應(yīng)用于矢量合成移相器、無(wú)線通信收發(fā)機(jī)、相控陣系統(tǒng)、微波毫米波成像系統(tǒng)和光通信系統(tǒng),用以最大化整個(gè)系統(tǒng)的增益動(dòng)態(tài)范圍。隨著硅基半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展,鍺硅異質(zhì)結(jié)晶體管工藝下雙極型晶體管的高頻性能能夠媲美于Ⅲ-Ⅳ族化合物工藝,同時(shí)具有高良率、大批量生產(chǎn)、較低的成本、能與傳統(tǒng)硅工藝兼容和易于實(shí)現(xiàn)單片集成的特點(diǎn),使得價(jià)格低廉的民用相控陣系統(tǒng)成為可能。本文首先從三個(gè)角度對(duì)可變?cè)鲆娣糯笃鬟M(jìn)行了分類,并詳細(xì)闡述了可變?cè)鲆娣糯笃鞯闹饕阅苤笜?biāo)及其重要性。通過(guò)理論分析,得出了可變?cè)鲆娣糯笃鞯膁B線性控制特性是自動(dòng)增益控制(AGC)環(huán)路保持恒定穩(wěn)定時(shí)間的充分條件這一結(jié)論。結(jié)合近年來(lái)發(fā)表的文獻(xiàn)研究了d B線性控制特性、線性度和附加相移這三個(gè)可變?cè)鲆娣糯笃麝P(guān)鍵性能的優(yōu)化技術(shù)。電流舵結(jié)構(gòu)具有增益動(dòng)態(tài)范圍大,高頻性能好,輸入阻抗不隨控制信號(hào)變化等優(yōu)點(diǎn),因而選定電流舵結(jié)構(gòu)作為論文中所設(shè)計(jì)的射頻前端超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃鞯暮诵慕Y(jié)構(gòu)。為了達(dá)到預(yù)定的性能指標(biāo),需要改進(jìn)傳統(tǒng)的電流舵結(jié)構(gòu)。通過(guò)引入控制電壓產(chǎn)生電路來(lái)展寬傳統(tǒng)電流舵結(jié)構(gòu)的dB線性控制增益動(dòng)態(tài)范圍,引入發(fā)射極負(fù)反饋電容來(lái)展寬傳統(tǒng)電流舵結(jié)構(gòu)的帶寬并提升其線性度。然后基于Tower JAZZ 0.18μm SiGe BiCMOS工藝采用改進(jìn)后的電流舵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了射頻前端超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃鞯暮诵碾娐�。設(shè)計(jì)了數(shù)模轉(zhuǎn)換電路實(shí)現(xiàn)數(shù)字控制功能,并為了滿足測(cè)試需求完成了輸入輸出匹配電路設(shè)計(jì)。最后,在對(duì)版圖設(shè)計(jì)規(guī)則的深刻理解的基礎(chǔ)上,完成了版圖設(shè)計(jì)、DRC檢查、LVS檢查、參數(shù)提取并實(shí)現(xiàn)后仿真。通過(guò)迭代進(jìn)行前仿真和后仿真,優(yōu)化設(shè)計(jì)參數(shù)和版圖,直到后仿真結(jié)果令人滿意。另外,同樣基于Tower JAZZ 0.18μm SiGe BiCMOS工藝,論文提出了一款新型的面向基帶超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃?該放大器采用跨導(dǎo)可變和負(fù)載可變?cè)鲆婵刂茩C(jī)理實(shí)現(xiàn),具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、dB線性控制特性、面積小、帶寬大、魯棒性好和增益動(dòng)態(tài)范圍大等優(yōu)點(diǎn)。論文中所設(shè)計(jì)的射頻前端超寬帶可變?cè)鲆娣糯笃鞑捎肨ower JAZZ 0.18μm SiGe BiCMOS工藝流片。測(cè)試結(jié)果表明在X和Ku波段內(nèi)達(dá)到了31dB的增益動(dòng)態(tài)范圍,增益步進(jìn)為1dB,輸入輸出回波損耗均小于-10dB,最大增益狀態(tài)時(shí)輸出1dB壓縮點(diǎn)為-17.8dBm@12GHz,附加相移小于24°。
[Abstract]:UWB VGA is widely used in vector synthesizer, wireless transceiver, phased array system, microwave millimeter wave imaging system and optical communication system to maximize the dynamic range of gain of the whole system. With the development of silicon based semiconductor manufacturing process, the high frequency performance of bipolar transistors under the technology of germanium and silicon heterojunction transistors is comparable to that of 鈪，

本文編號(hào)：2063236