本文選題：硅微通道 + 結(jié)構(gòu)釋放��； 參考：《長(zhǎng)春理工大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：結(jié)構(gòu)釋放技術(shù)與整形技術(shù)為硅微通道制備過程中的兩個(gè)重要工藝環(huán)節(jié)。本論文主要研究結(jié)構(gòu)釋放技術(shù)及之后的通道整形技術(shù)。從濕法腐蝕結(jié)構(gòu)釋放實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象中發(fā)現(xiàn)了硅微通道陣列背部塌陷問題。通過觀察實(shí)驗(yàn)中的表面形貌變化,得出背部塌陷現(xiàn)象是由腐蝕不均引起的。并且其形貌與晶向存在一定關(guān)系。對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光法結(jié)構(gòu)釋放之后的硅微通道陣列厚度誤差進(jìn)行分析,改進(jìn)了實(shí)驗(yàn)步驟。對(duì)溫度以及腐蝕液濃度進(jìn)行調(diào)整,從而有效的控制整形之后通道的形貌。通過對(duì)異丙醇濃度的控制,縮短了整形實(shí)驗(yàn)所需要的時(shí)間,從大致的5小時(shí)縮短為3小時(shí)。并且分析了整形實(shí)驗(yàn)后硅微通道的尺寸。
[Abstract]:Structural release technology and shaping technology are two important processes in the fabrication of silicon microchannels. In this thesis, the structure release technique and the subsequent channel shaping technique are studied. The problem of back collapse of silicon microchannel array was found from the experimental phenomenon of wet corrosion structure release. By observing the surface morphology in the experiment, it is concluded that the back collapse is caused by uneven corrosion. And its morphology and crystal direction are related to a certain extent. The thickness error of silicon microchannel array released by chemical-mechanical polishing method was analyzed and the experimental steps were improved. The temperature and the concentration of corrosion solution were adjusted to effectively control the morphology of the channel after shaping. By controlling the concentration of isopropanol, the time needed for plastic experiment was shortened from about 5 hours to 3 hours. The size of silicon microchannel after shaping experiment was analyzed.
【學(xué)位授予單位】：長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：TN303

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2003042