本文選題：可延展 + 柔性��； 參考：《西安電子科技大學》2015年碩士論文

【摘要】：隨著集成電路技術的發(fā)展,集成電路的發(fā)展趨勢一直遵循著摩爾定律不斷進行發(fā)展,集成度不斷增加,而特征尺寸不斷減小,同時集成電路的性能也在不斷的提高。隨著集成電路集成度不斷提高,特征尺寸在不斷地減小,互連線對于延時,功耗的影響也在不斷增加。尤其是在集成電路與半導體器件的特征尺寸進入納米量級后,高頻下由互連線的一些由于高頻產生的效應導致的信號延遲增加、能耗不斷升高和帶寬也變窄等互連效應變得非常突出�；ミB線的一些相關特性儼然已經成為了當前階段制約集成電路向前發(fā)展和半導體器件性能的主要因素。因此快速準確的提取高頻集成電路的互連線寄生參數(shù)(電阻、電感、電容和電導)對于成功設計高性能的集成電路與半導體器件具有非常重要的研究意義。為了適應現(xiàn)如今人們對于電子產品的便攜性,以及形狀可變性等方面的越來越高的需求,半導體器件與電子材料的可延展柔性電子技術成為當下科研和學術界的焦點�？裳诱谷嵝詿o機集成電子器件指的是將電子器件建立在柔性可延展的基底上,這種可延展的柔性電子器件需要在保持傳統(tǒng)無機脆性電子器件的比較高的性能與高可靠性的同時,還要具備一些可彎曲,可延展和可伸縮等柔性性能。隨著可延展柔性電子技術的興起,其互連結構與特性也成為研究熱點與難點。針對可延展柔性無機集成電子器件與可延展柔性互連結構的特點,本文研究了高速集成電路的互連的各種相關模型,并在此基礎上研究了一種互連可延展柔性電路的屈曲導線結構的互連寄生參數(shù)解析計算方法;建立屈曲導線互連寄生參數(shù)提取技術和集總參數(shù)電阻電感電容RLC模型。同時,為了能夠讓我們驗證模型的正確性,我們利用HFSS軟件對一種可延展互連結構進行了仿真,對比了通過仿真與計算兩種方法得到的S參數(shù)。
[Abstract]:With the development of integrated circuit technology, the development trend of integrated circuit has been following Moore's law, the integration level is increasing, and the feature size is decreasing, at the same time, the performance of integrated circuit is also improving. With the increasing integration of integrated circuits, the feature size is decreasing, and the influence of interconnect on delay and power consumption is increasing. Especially when the characteristic size of integrated circuits and semiconductor devices reaches nanometer order of magnitude, the signal delay caused by some high-frequency effects of interconnects increases at high frequency. Interconnection effects, such as increasing energy consumption and narrowing bandwidth, have become very prominent. Some related characteristics of interconnects have become the main factors restricting the development of integrated circuits and the performance of semiconductor devices at the present stage. Therefore, fast and accurate extraction of the parasitic parameters (resistance, inductance, capacitance and conductance) of high frequency integrated circuits is very important for the successful design of high performance integrated circuits and semiconductor devices. In order to meet the increasing demand for the portability and shape variability of electronic products nowadays, the extensible flexible electronic technology of semiconductor devices and electronic materials has become the focus of current scientific research and academic circles. The extensible flexible inorganic integrated electronic device means that the electronic device is built on a flexible and extensible substrate. This extensible flexible electronic device needs to maintain the high performance and reliability of the traditional inorganic brittle electronic device. There are also some flexible properties, such as bending, extensibility and extensibility. With the development of extensible flexible electronic technology, its interconnection structure and characteristics have become a hot and difficult point. In view of the characteristics of extensible flexible inorganic integrated electronic devices and extensible flexible interconnection structures, various models of high-speed integrated circuit interconnection are studied in this paper. On the basis of this, an analytical calculation method of parasitic parameters of buckled wire structures with flexible interconnecting circuits is studied, and the technique of extracting parasitic parameters and the RLC model of lumped resistance inductance and capacitance are established. At the same time, in order to let us verify the correctness of the model, we use HFSS software to simulate an extensible interconnection structure, and compare the S parameters obtained by simulation and calculation.
【學位授予單位】：西安電子科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN405.97

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本文編號：1999476