本文選題：IGBT串聯(lián) + 門極阻容網(wǎng)絡��； 參考：《電工技術學報》2017年04期

【摘要】：針對IGBT串聯(lián)應用中關斷過程均壓問題,對IGBT的關斷過程進行了詳細分析,總結出影響IGBT關斷過程的核心等效電路和計算公式。在此基礎上提出一種基于門極補償阻容網(wǎng)絡的IGBT串聯(lián)均壓方法,推導出增加門極阻容補償網(wǎng)絡后串聯(lián)IGBT動態(tài)電壓不均衡度和關斷時間影響的計算公式,并提出門極阻容網(wǎng)絡參數(shù)的選取原則。建立基于Lumped Charge方法的IGBT半物理數(shù)值模型,對IGBT門極阻容補償網(wǎng)絡進行仿真驗證。給出了實際測試工況下的補償網(wǎng)絡參數(shù),建立IGBT串聯(lián)均壓實驗系統(tǒng),進行多種電壓、電流工況下的實驗驗證。仿真和實驗表明:該方法可以有效控制串聯(lián)IGBT的延遲時間和動態(tài)電壓上升速率的差異,在母線電壓為2 000V和關斷峰值電流為1 500A時,采用該控制方法可將串聯(lián)IGBT的動態(tài)尖峰電壓不均衡度由14.4%降至6.3%。
[Abstract]:Aiming at the problem of voltage equalization in IGBT series application, the turn-off process of IGBT is analyzed in detail, and the core equivalent circuit and calculation formula that affect the turn-off process of IGBT are summarized. On this basis, an IGBT series voltage equalization method based on gate compensated resistive and capacitive network is proposed, and the calculation formula of dynamic voltage imbalance and turn-off time of series IGBT after increasing gate resistive and capacitive compensation network is derived. The selection principle of gate pole resistive network parameters is also proposed. The half-physical numerical model of IGBT based on Lumped charge method is established, and the simulation of IGBT gate pole resistive compensation network is carried out. The compensation network parameters under the actual test conditions are given, and the IGBT series voltage sharing experimental system is established, which is verified by experiments under various voltage and current conditions. Simulation and experiments show that this method can effectively control the difference of delay time and dynamic voltage rise rate of series IGBT, when the bus voltage is 2 000 V and the off peak current is 1 500 A. Using this control method, the dynamic peak voltage imbalance of series IGBT can be reduced from 14.4% to 6.3%.
【作者單位】： 西安許繼電力電子技術有限公司;許繼集團有限公司;
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1984563