本文選題：絕緣柵雙極型晶體管 + 鍵合線�。� 參考：《電工技術學報》2017年20期

【摘要】：已有研究表明,鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)可靠性的主要因素之一。以此為研究背景,首先根據IGBT模塊內部鍵合線的結構布局與物理特性,分析鍵合線等效電阻與關斷暫態(tài)波形的關系,建立鍵合線等效電阻與關斷過程中密勒平臺電壓以及集電極電流的數學關系式,通過實驗測量獲得鍵合線等效電阻,最后分別對鍵合線等效電阻與鍵合線斷裂數的關系進行定性與定量的分析,得出鍵合線等效電阻會隨鍵合線斷裂數的增加同方向變化,這也證明了本文所提方法的可行性和正確性。
[Abstract]:It has been shown that the aging and shedding failure of bonding line is one of the main factors that affect the reliability of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Based on the research background, the relationship between the equivalent resistance of the bonding line and the turn-off transient waveform is analyzed according to the structural layout and physical characteristics of the internal bonding line of the IGBT module. The mathematical relationship between the equivalent resistance of bonding line and the voltage of Miller platform and collector current during turn-off is established. The equivalent resistance of bond line is obtained by experimental measurement. Finally, the relationship between the equivalent resistance of the bonding line and the fracture number of the bond line is analyzed qualitatively and quantitatively. It is concluded that the equivalent resistance of the bond line changes in the same direction with the increase of the fracture number of the bond line. This also proves the feasibility and correctness of the proposed method.
【作者單位】： 輸配電裝備及系統安全與新技術國家重點實驗室(重慶大學);
【基金】：國家自然科學基金重點項目(51137006);國家自然科學基金項目(51577020)資助
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1951232