本文選題：激光技術(shù) + 硅漿料　； 參考：《中國激光》2016年09期

【摘要】：采用硼摻雜的硅納米顆粒和有機載體混合配制的硅漿料作為原料,以標準太陽能電池工藝中的預處理硅片作為基片,在硅片背面絲網(wǎng)印刷硅漿料,烘干后形成硅納米薄膜,經(jīng)皮秒激光熔覆形成摻雜的硅熔覆層,同時硼元素擴散進入硅基片。采用激光形貌儀、掃描電子顯微鏡、二次離子質(zhì)譜等手段分析了熔覆層的組織結(jié)構(gòu)和硼元素的摻雜情況。結(jié)果表明,皮秒激光形成的硅熔覆層組織均勻致密,與基體之間結(jié)合緊密,無裂紋、孔洞等缺陷。硅熔覆層中的硼摻雜濃度最高達到3×1019 atom/cm3,在硅基體內(nèi)擴散深度為0.5~1μm。在中電電氣(南京)光伏有限公司太陽能電池生產(chǎn)線上進行了電池制備實驗,平均光電轉(zhuǎn)換效率達到20.3%。
[Abstract]:Using boron doped silicon nanoparticles mixed with organic carrier as raw material, using pre-treated silicon wafer in standard solar cell process as substrate, silicon paste was printed on the back of silicon wafer, and then dried to form silicon nano-film. Doping silicon cladding is formed by laser cladding through picosecond, and boron diffuses into silicon substrate. The microstructure of the cladding layer and the doping of boron elements were analyzed by means of laser topography scanning electron microscope and secondary ion mass spectrometry. The results show that the structure of the cladding layer formed by picosecond laser is uniform and compact, and the bonding between the cladding layer and the substrate is close, without cracks, holes and other defects. The highest boron doping concentration in silicon cladding is 3 脳 atom / cm ~ (-3), and the diffusion depth in silicon substrate is 0.5 渭 m ~ (-1) 渭 m. In the solar cell production line of China Electric (Nanjing) Photovoltaic Co., Ltd., the average photovoltaic conversion efficiency is 20.3.
【作者單位】： 南京航空航天大學機電學院;鹽城工學院機械工程學院;中電電氣(南京)光伏有限公司;
【基金】：國家自然科學基金(51475236)
【分類號】：TN249;TM914.4

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本文編號：1936989