本文選題：氮化鎵 + 美國國防部�。� 參考：《半導體信息》2016年06期

【摘要】：正十年來,電子戰(zhàn)和雷達最大的發(fā)展變化之一是其材料向氮化鎵(GaN)過渡,并由此帶來功率、可靠性和經(jīng)濟上的改善。十年前,美國國防部開始將GaN視為砷化鎵(GaAs)的未來替代品,從而開始致力于其發(fā)展。GaN已證實可靠性和熱導率均超過GaAs。
[Abstract]:One of the biggest developments in electronic warfare and radar over the past decade has been the transition of materials to gallium nitride (gan), which has led to improvements in power, reliability and economy. Ten years ago, the Department of Defense began to consider GaN as a future substitute for GaAs (GaAs), and thus began to work on its development. Gan has proven to be more reliable and thermal conductivity than GaAs.
【分類號】：TN304.23

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本文編號：1931008