本文選題：K波段 + 下變頻��； 參考：《微電子學(xué)》2017年04期

【摘要】：基于130 nm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了工作于K波段的雙平衡下變頻混頻器。在傳統(tǒng)吉爾伯特單元基礎(chǔ)上采用電流復(fù)用注入結(jié)構(gòu),減小了開(kāi)關(guān)級(jí)的偏置電流,提升了開(kāi)關(guān)性能。在開(kāi)關(guān)級(jí)源端引入諧振電感,消除了開(kāi)關(guān)共源節(jié)點(diǎn)處的寄生電容,抑制了射頻信號(hào)的泄露,提高了增益,減小了噪聲。仿真結(jié)果表明,輸入射頻信號(hào)為24 GHz,本振信號(hào)為24.5 GHz,本振輸入功率為-3 d Bm時(shí),該混頻器的轉(zhuǎn)換增益為25.8 d B,單邊帶噪聲系數(shù)為6.4 d B,輸入3階互調(diào)截點(diǎn)為-8.6 d Bm。
[Abstract]:Based on 130nm CMOS process, a K band dual balanced downconversion mixer is designed. Based on the traditional Gilbert cell, the current multiplexing injection structure is adopted, which reduces the bias current at the switch level and improves the switching performance. The resonant inductance is introduced at the switch level, which eliminates the parasitic capacitance at the common source node, restrains the leakage of the RF signal, improves the gain and reduces the noise. The simulation results show that when the input RF signal is 24 GHz, the local oscillator signal is 24.5 GHz, and the local oscillator input power is 3 dBm, the conversion gain of the mixer is 25.8 dB, the single sideband noise coefficient is 6.4 dB, and the input third order Intermodulation intercept point is -8.6 dBm.
【作者單位】： 武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61204096,61404094) 中國(guó)博士后科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2012T50688) 中央高校基本科研資助項(xiàng)目(2042015kf0174,2042014kf0238) 湖北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2014CFB694) 江蘇省科學(xué)基金資助項(xiàng)目(BK20141218)
【分類(lèi)號(hào)】：TN773

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本文編號(hào)：1876174