本文選題：駐波振蕩器 + 可變電容　； 參考：《浙江大學學報(工學版)》2017年01期

【摘要】：介紹采用基于反型金屬氧化物半導體場效應晶體管(IMOS)的變容二極管(varactor)實現(xiàn)頻率可調節(jié)駐波振蕩器的設計結構,通過仿真對比駐波振蕩器中可變電容集總式分布和離散式分布對頻率調節(jié)范圍和功耗的影響.在65nm工藝下的仿真結果表明,集總式分布的可變電容可以使駐波振蕩器以較小的功耗增長獲得更大的頻率調節(jié)范圍,頻率調節(jié)范圍可以達到20%.基于該振蕩器提出全局同步芯片、全局異步局部同步芯片中時鐘系統(tǒng)設計結構,通過仿真測試這些時鐘系統(tǒng)在不同溫度波動、電壓波動和工藝偏差下的頻率變化.仿真結果表明,這些結構可以實現(xiàn)高頻時鐘在指定芯片區(qū)域內的高可靠、可調節(jié)傳輸.
[Abstract]:This paper introduces the design structure of frequency adjustable standing wave oscillator using varactor-based varactor-based variable-volume diode based on inverse metal oxide semiconductor field effect transistor (IMOS). The effects of variable capacitance lumped distribution and discrete distribution on frequency regulation range and power consumption are compared by simulation. The simulation results under the 65nm process show that the variable-capacitance with lumped distribution can make the VWO gain a wider range of frequency regulation with smaller power consumption, and the range of frequency regulation can reach 20%. Based on the oscillator, a global synchronous chip and a clock system structure in the global asynchronous local synchronous chip are proposed. The frequency changes of these clock systems under different temperature fluctuations, voltage fluctuations and process deviations are tested by simulation. Simulation results show that these structures can achieve high reliability and adjustable transmission of high frequency clock in specified chip area.
【作者單位】： 復旦大學信息科學與工程學院;
【基金】：上�？莆Y助項目(14510711500;15511108100)
【分類號】：TN752;TN402

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本文編號：1849925