本文選題：長波碲鎘汞 + 表面鈍化��； 參考：《紅外與毫米波學(xué)報》2017年03期

【摘要】：采用不同工藝生長了CdTe/ZnS復(fù)合鈍化層,制備了相應(yīng)的長波HgCdTe柵控二極管器件并進(jìn)行了不同條件下I-V測試分析.結(jié)果表明,標(biāo)準(zhǔn)工藝制備的器件界面存在較高面密度極性為正的固定電荷,在較高的反偏下形成較大的表面溝道漏電流,對器件性能具有重要的影響.通過鈍化膜生長工藝的改進(jìn)有效減小了器件界面固定電荷面密度,使HgCdTe表面從弱反型狀態(tài)逐漸向平帶狀態(tài)轉(zhuǎn)變,表面效應(yīng)得到有效抑制,器件反向特性獲得顯著改善.此外,基于最優(yōu)的工藝條件制備的器件界面態(tài)陷阱數(shù)量得到大幅降低,器件穩(wěn)定性增強(qiáng);同時器件R_0A隨柵壓未發(fā)生明顯地變化.
[Abstract]:The CdTe/ZnS composite passivating layer was grown by different processes. The corresponding long-wave HgCdTe gate controlled diode devices were fabricated and the I-V measurements were carried out under different conditions. The results show that there is a fixed charge with positive polarity of higher surface density at the interface of the device prepared by the standard process, and a large surface channel leakage current is formed under the higher reverse bias, which has an important effect on the device performance. Through the improvement of passivation film growth process, the fixed charge surface density at the interface of the device is effectively reduced, the surface of HgCdTe is gradually changed from a weak inversion state to a flat band state, the surface effect is effectively suppressed, and the reverse characteristics of the device are significantly improved. In addition, the number of interfacial state traps prepared based on the optimal process conditions is greatly reduced, and the device stability is enhanced, while the device R _ (0) A does not change significantly with the gate voltage.
【作者單位】： 昆明物理研究所;
【基金】：國防973項目(613230) 云南省創(chuàng)新團(tuán)隊計劃(2014HC020)~~
【分類號】：TN215;TN31

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 李雄軍;韓福忠;李東升;李立華;胡彥博;孔金丞;朱穎峰;莊繼勝;姬榮斌;;中波碲鎘汞/鈍化層界面電學(xué)特性研究[J];紅外技術(shù);2015年10期

2 應(yīng)明炯;光伏碲鎘汞表面鈍化技術(shù)研究——用陽極硫化/硫化鋅復(fù)合鈍化碲鎘汞表面[J];激光與紅外;1993年06期

3 袁皓心,童斐明,湯定元;Hg_(1-x)Cd_xTe N~+-P柵控二極管表面溝道漏電的理論和實驗研究[J];紅外與毫米波學(xué)報;1992年01期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 李雄軍;韓福忠;李東升;李立華;胡彥博;孔金丞;趙俊;朱穎峰;莊繼勝;姬榮斌;;基于柵控二極管研究碲鎘汞器件表面效應(yīng)[J];紅外與毫米波學(xué)報;2017年03期

2 史衍麗，，曾戈虹;HgCdTe陽極硫化膜分析[J];紅外技術(shù);1996年05期

【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前6條

1 葉振華;黃建;尹文婷;胡偉達(dá);馮婧文;陳路;廖親君;陳洪雷;林春;胡曉寧;丁瑞軍;何力;;MBE原位碲化鎘鈍化的碲鎘汞長波光電二極管列陣[J];紅外與毫米波學(xué)報;2011年06期

2 曾戈虹;;HgCdTe艱辛的歷程、輝煌的成就:一、偉大的發(fā)明[J];紅外技術(shù);2011年05期

3 何波;史衍麗;徐靜;;HgCdTe MIS器件的制備及其界面電學(xué)特性的研究(下)[J];紅外;2007年01期

4 何波;史衍麗;徐靜;;HgCdTe MIS器件的制備及其界面電學(xué)特性的研究(上)[J];紅外;2006年12期

5 袁皓心;童斐明;湯定元;;Hg_(1-x)Cd_xTe光電二極管反向漏電機(jī)制分析[J];紅外研究;1990年06期

6 袁皓心,童斐明,湯定元;直接帶間隧道對長波Hg_(1-x)Cd_xTePN結(jié)的影響[J];紅外研究(A輯);1987年01期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 白超;;寬禁帶Ⅱ-VI族材料生長及其對器件的影響[J];發(fā)光快報;1989年Z1期

2 盛柏楨;南京固體器件研究所第七、第八次科研成果鑒定會[J];半導(dǎo)體技術(shù);1982年02期

3 史慶藩,喻志遠(yuǎn);光控微波固體器件研究進(jìn)展[J];通信學(xué)報;1990年04期

4 ;西安電子科技大學(xué)“寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”教育部重點實驗室[J];技術(shù)與創(chuàng)新管理;2007年04期

5 葉立劍;南京固體器件研究所召開第十一次科研成果鑒定會——31項科研成果通過鑒定[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1984年01期

6 沈玉全，,王玉堂;有機(jī)光電子材料和器件研究進(jìn)展[J];高技術(shù)通訊;1994年02期

7 舒學(xué)鏞,何小樂;薄膜SOI器件和材料的研究和發(fā)展方向[J];微電子技術(shù);1994年05期

8 章從福;;長春應(yīng)用化學(xué)所OTFT器件研究取得突破[J];半導(dǎo)體信息;2007年02期

9 李德祿;馬杰;;聚合物AWG器件研究內(nèi)容綜述[J];中國科技信息;2011年12期

10 任國屋;12GHz GaAs FET放大器[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1984年01期

相關(guān)會議論文 前3條

1 龔旗煌;胡小永;李智;古英;張家森;楊宏;;介觀光子學(xué)器件研究進(jìn)展[A];2008介觀光學(xué)及其應(yīng)用研討會論文集[C];2008年

2 曹鏞;;聚合物發(fā)光材料與器件研究的進(jìn)展[A];第九屆全國發(fā)光學(xué)術(shù)會議摘要集[C];2001年

3 童利民;;微納光纖及其器件研究進(jìn)展[A];2008介觀光學(xué)及其應(yīng)用研討會論文集[C];2008年

相關(guān)重要報紙文章 前2條

1 本報記者 操秀英;進(jìn)軍多學(xué)科前沿交叉新領(lǐng)域[N];科技日報;2010年

2 唐婷邋徐玢;探索在下一代電子器件發(fā)展最前沿[N];科技日報;2007年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 孟繁新;碳基納米器件光電特性研究和金屬材料中氦原子行為研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

2 祝杰杰;氮化物MIS-HEMT器件界面工程研究[D];西安電子科技大學(xué);2016年

3 石艷梅;基于槽技術(shù)的SOI LDMOS器件新結(jié)構(gòu)研究[D];天津大學(xué);2015年

4 委福祥;新型高性能有機(jī)電致發(fā)光器件的研究[D];上海大學(xué);2007年

5 郭鵬;有機(jī)電雙穩(wěn)材料與器件的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2007年

6 楊樹威;新型自供能電致變色材料和器件的探索及研發(fā)[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2013年

7 張曉波;染料摻雜的有機(jī)電致磷光/白光器件研究[D];上海大學(xué);2007年

8 劉向;有機(jī)薄膜晶體管及微腔頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光器件的研究[D];上海大學(xué);2007年

9 胡仕剛;超薄柵氧MOS器件柵泄漏電流研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年

10 劉舉慶;石墨烯基導(dǎo)電薄膜及其有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件的制備與性能研究[D];南京郵電大學(xué);2011年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 陽斌;Cu氧化物薄膜及納米線器件的電阻開關(guān)特性研究[D];暨南大學(xué);2015年

2 肖建偉;染料敏化太陽能電池二氧化鈦光陽極構(gòu)筑及界面調(diào)控研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年

3 李海強(qiáng);可降解絲素蛋白對有機(jī)場效應(yīng)晶體管性能的影響[D];電子科技大學(xué);2014年

4 于志浩;二維半導(dǎo)體器件電子輸運性質(zhì)研究[D];南京大學(xué);2015年

5 王健波;黑硅材料的制備及器件研究[D];電子科技大學(xué);2015年

6 湯振森;TiO_2阻變器件導(dǎo)電機(jī)理及其抗總劑量輻照性能研究[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2013年

7 霍瑞彬;4H-SiC MOSFET器件設(shè)計與工藝[D];西安電子科技大學(xué);2014年

8 黃宇;1.2kV SiC MOSFET器件設(shè)計及可靠性研究[D];東南大學(xué);2015年

9 楊旭;Ge MOS界面調(diào)控與器件工藝集成研究[D];東南大學(xué);2015年

10 張桐碩;基于氧化鋅納米晶的紫外光電器件研究[D];沈陽師范大學(xué);2016年

本文編號：1840245