本文選題：柵介質(zhì) + 多晶硅��； 參考：《半導(dǎo)體光電》2017年03期

【摘要】：CCD多晶硅交疊區(qū)域絕緣介質(zhì)對成品率和器件可靠性具有重要的影響。采用掃描電子顯微鏡和電學(xué)測試系統(tǒng)研究了CCD柵介質(zhì)工藝對多晶硅層間介質(zhì)的影響。研究結(jié)果表明:柵介質(zhì)工藝對多晶硅層間介質(zhì)形貌具有顯著的影響。柵介質(zhì)氮化硅淀積后進行氧化,隨著氧化時間延長,靠近柵介質(zhì)氮化硅區(qū)域的多晶硅層間介質(zhì)層厚度增大。增加氮化硅氧化時間到320min,多晶硅層間薄弱區(qū)氧化層厚度增加到227nm。在前一次多晶硅氧化后淀積一層15nm厚氮化硅,能夠很好地填充多晶硅層間介質(zhì)空隙區(qū),不會對CCD工作電壓產(chǎn)生不利的影響。
[Abstract]:The CCD polysilicon overlapped area insulator plays an important role in the product yield and device reliability.The effect of CCD gate dielectric process on polysilicon interlayer dielectric was studied by scanning electron microscope and electrical measurement system.The results show that the gate dielectric process has a significant effect on the morphology of polysilicon interlayer dielectric.With the increase of oxidation time, the thickness of polycrystalline silicon interlayer layer near the gate dielectric silicon nitride region increases with the increase of oxidation time.When the oxidation time of silicon nitride is increased to 320 min, the thickness of the oxide layer in the weak zone between the polysilicon layers increases to 227 nm.After the previous polysilicon oxidation, a layer of 15nm thick silicon nitride was deposited, which can fill the dielectric gap between the polysilicon layers well, and has no adverse effect on the working voltage of CCD.
【作者單位】： 重慶光電技術(shù)研究所;
【分類號】：TN304;TN386.5

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