有機(jī)平面異質(zhì)結(jié)器件中三重態(tài)的湮滅過程
本文選題:有機(jī)平面異質(zhì)結(jié)器件 + 電致發(fā)光磁效應(yīng) ; 參考:《西南大學(xué)》2017年碩士論文
【摘要】:有機(jī)發(fā)光二極管(organic light-emitting diodes,OLEDs)由于具備自發(fā)光、高色域以及可折疊等先天優(yōu)勢,在固體照明和平板顯示領(lǐng)域具有很大的潛力,也受到越來越多研究者的關(guān)注和青睞。經(jīng)過長久的投入和研究,OLEDs的性能已經(jīng)得到了很大的提升,市場中也有一些產(chǎn)品。然而OLEDs要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)實(shí)用還存在很多挑戰(zhàn),尤其是很多基礎(chǔ)問題尚未解決。這里面就包括器件壽命短以及量子效率低等問題。OLEDs中的單重態(tài)決定了器件的熒光效率,因此增加單重態(tài)的數(shù)量有助于提高器件的熒光效率。而利用占比多(75%)的三重態(tài)向單重態(tài)的轉(zhuǎn)變是一個(gè)可行的辦法。目前,OLEDs中的反系間竄越(RISC)過程和三重態(tài)-三重態(tài)湮滅(TTA)過程可以實(shí)現(xiàn)這一目的。Adachi等人利用RISC過程已經(jīng)獲得一個(gè)較高的外量子效率,并且探究了RISC過程的發(fā)生機(jī)制。而由于TTA過程是兩個(gè)激發(fā)態(tài)間的相互作用,需要一個(gè)較大的三重態(tài)濃度才能發(fā)生,通常我們在激子型器件的低溫及大注入電流下觀察到TTA過程。本文,我們探究了激子型OLEDs室溫下的TTA過程,并且實(shí)現(xiàn)了激基復(fù)合物型OLEDs的TTA過程,并研究了TTA過程的內(nèi)在機(jī)制。事實(shí)上,OLEDs中的微觀過程是非常復(fù)雜的且不容易被直接探測到,而有機(jī)電致發(fā)光磁效應(yīng)(MEL)對這些微觀過程非常靈敏,可作為一種有效的工具來探測這些自旋相關(guān)的微觀過程。本論文我們制備了兩類有機(jī)平面異質(zhì)結(jié)OLEDs,通過對有機(jī)材料的選擇以及器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)成功實(shí)現(xiàn)了激子間室溫下的TTA過程以及激基復(fù)合物間的TTA過程。通過分析OLEDs的MEL曲線、器件結(jié)構(gòu)及電致發(fā)光光譜,探究了TTA過程的發(fā)生條件和內(nèi)在機(jī)制。這一工作希望能夠理解TTA過程的物理機(jī)制,這將對提高激子型或者激基復(fù)合物型OLEDs的發(fā)光效率提出一定的建議。主要內(nèi)容包含以下四個(gè)章節(jié):第一章介紹了OLEDs的歷史起源以及在目前生活中的應(yīng)用,并簡單介紹了OLEDs輻射光子的基本過程;而后陳述了OLEDs熒光效率低下的緣由,并介紹了可增加單重態(tài)數(shù)量的微觀過程;最后介紹了MEL探測器件內(nèi)部微觀過程的原理。第二章主要介紹了OLEDs的制備和測量過程及其所用儀器的工作原理和注意事項(xiàng)。第三章主要介紹了包含mCP和CBP的平面異質(zhì)結(jié)器件中的室溫TTA過程和反常的MEL溫度依賴行為,結(jié)構(gòu)是ITO/PEDOT:PSS/NPB(30 nm)/mCP(or CBP)(40nm)/TPBi(50 nm)/LiF(1 nm)/Al(120 nm)。結(jié)果顯示:器件MEL曲線的低場上升幅度在低溫下更高,同時(shí)MEL曲線的高場下降現(xiàn)象在室溫下出現(xiàn)而在低溫下消失。這與通常發(fā)現(xiàn)的MEL隨溫度的變化截然不同。這表明ISC過程隨著溫度降低而變得更迅速,同時(shí)室溫下器件中存在TTA過程,這一過程卻在低溫下消失。通過分析器件的歸一化電致發(fā)光光譜及其在不同溫度下的變化,我們發(fā)現(xiàn)器件中同時(shí)存在激子和激基復(fù)合物,并且隨著溫度的降低,激子數(shù)量減少而激基復(fù)合物數(shù)量增多。由此得出結(jié)論:低溫下,激基復(fù)合物的含量增多導(dǎo)致了更迅速ISC轉(zhuǎn)化過程;同時(shí)mCP或者CBP層中的長壽命激子導(dǎo)致了室溫下的TTA過程,而低溫下mCP或者CBP層中的激子數(shù)量減少,導(dǎo)致了TTA過程的消失。本工作在室溫下實(shí)現(xiàn)了激子間的TTA過程,并探索了有機(jī)發(fā)光二極管中激發(fā)態(tài)間(激子和激基復(fù)合物)的ISC和TTA過程的內(nèi)在機(jī)制。第四章主要介紹了平面異質(zhì)結(jié)激基復(fù)合物器件中的TTA過程,結(jié)構(gòu)是ITO/TTP(80 nm)/PPT(80 nm)/LiF(1 nm)/Al(120 nm)。TTA過程雖可以提高器件發(fā)光效率,但很難在激基復(fù)合物型OLEDs中發(fā)生,因?yàn)檫@一過程需要相近多個(gè)分子的參與。然而,我們在平面異質(zhì)結(jié)器件中通過讓激基復(fù)合物在一個(gè)窄小的區(qū)域內(nèi)復(fù)合而提高其濃度,繼而實(shí)現(xiàn)TTA過程。TTA過程由MEL曲線的高場下降反映出來,器件的MEL曲線的高場在150 K左右表現(xiàn)出下降行為,并隨著溫度的降低而增強(qiáng)。不僅如此,這一行為還在大注入電流下呈現(xiàn)出更明顯的下降。這和TTA過程在溫度和注入電流下的變化一致,很好的證明了器件中存在TTA過程。通過對器件結(jié)構(gòu)的分析,我們發(fā)現(xiàn)在此雙層有機(jī)平面異質(zhì)結(jié)器件中存在很大的LUMO-LUMO和HOMO-HOMO能級勢壘,分別是1.4和1.9 eV,電子和空穴不能翻越如此大的能級勢壘而全部留在異質(zhì)結(jié)界面附近,在界面附近的小區(qū)域內(nèi)形成大濃度的激基復(fù)合物,從而在低溫下發(fā)生TTA過程。另外,我們適當(dāng)選擇施主分子還在室溫下發(fā)現(xiàn)了激基復(fù)合物中的TTA過程,并初步探討了其物理機(jī)制。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】:西南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TN383.1
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,本文編號:1763949
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