本文選題：肖特基結 + 勢壘模型��； 參考：《材料導報》2017年03期

【摘要】：肖特基結具有整流特性,在整流器和光電檢測等電子元器件制造中有極其重要的應用,重點介紹了相關研究人員在金屬與半導體肖特基接觸勢壘的形成機理、相關數(shù)學模型及其影響因素等方面的研究進展。有研究表明,肖特基勢壘的形成主要是由于費米能級的釘扎,而費米能級釘扎則源于界面新相的形成或界面極化鍵的存在。同時,在肖特基勢壘的相關模型中,熱電子激發(fā)模型是目前應用最為廣泛的、用于解釋界面載流子傳輸機制的肖特基接觸勢壘模型。隨著對接觸界面載流子傳輸機制的深入研究,熱發(fā)射-擴散、熱場發(fā)射等載流子傳輸機制模型相繼被研究者提出。另外,相關研究表明,快速退火處理可導致肖特基接觸界面處的原子擴散、重排、新相生成等現(xiàn)象,對肖特基接觸的穩(wěn)定性產(chǎn)生重要影響。
[Abstract]:Schottky junction has the characteristics of rectifier and has very important applications in the manufacture of electronic components such as rectifier and photoelectric detection. The formation mechanism of Schottky contact barrier between metal and semiconductor is introduced in this paper.Research progress in related mathematical models and their influencing factors.Some studies have shown that Schottky barrier is mainly due to the pinning of Fermi level, and Fermi level pinning is due to the formation of new phase at the interface or the existence of the interfacial polarization bond.At the same time, among the Schottky barrier models, the hot electron excitation model is the most widely used Schottky contact barrier model to explain the transport mechanism of carriers at the interface.With the in-depth study of the carrier transport mechanism of the contact interface, the models of heat emission-diffusion and thermal field emission have been proposed by researchers one after another.In addition, it is shown that rapid annealing can lead to atomic diffusion, rearrangement and new phase formation at Schottky contact interface, which has an important effect on the stability of Schottky contact.
【作者單位】： 陜西理工大學材料科學與工程學院;陜西理工大學電氣工程學院;
【分類號】：TN311.7

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本文編號：1756561