本文選題：納米光電材料　切入點：太陽能　出處：《光子學報》2017年01期

【摘要】：采用一步銀銅雙原子金屬輔助化學腐蝕法,室溫下在多晶硅表面制備納米陷光結構,再利用納米結構修正溶液在溫度為50℃時對硅片進行各向異性重構,可控制備出不同尺寸的倒金字塔陷光結構.用分光光度計測量了多晶硅表面的反射率,用掃描電鏡觀察了多晶硅表面形貌,用少子壽命測試儀測量了多晶硅鈍化后的少子壽命.結果表明:影響倒金字塔結構尺寸的主要影響因素是制備態(tài)黑硅納米結構的深度,當深度越深,最終形成的結構尺寸也越大;納米結構修正溶液重構時間越長,所形成的倒金字塔結構尺寸越大,反射率也變大;經原子層沉積鈍化后的倒金字塔結構中少子壽命隨其尺寸的增大而增加;當?shù)菇鹱炙呴L為600nm時綜合效果最佳,反射率為9.87%,少子壽命為37.82μs.
[Abstract]:A one-step silver copper diatomic metal-assisted chemical etching method was used to prepare nano-trapping structure on polycrystalline silicon surface at room temperature. The nanostructure correction solution was used to reconstruct the anisotropy of silicon wafer at 50 鈩，

本文編號：1726340