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基于亞波長光柵的VCSEL偏振控制研究

發(fā)布時間:2018-04-08 18:47

  本文選題:MEMS波長可調(diào)諧VCSEL 切入點:偏振穩(wěn)定 出處:《發(fā)光學報》2017年06期


【摘要】:為了確定亞波長光柵在微電機械系統(tǒng)(MEMS)波長可調(diào)諧VCSEL不同位置(上DBR上表面、上DBR下表面以及內(nèi)腔)中實現(xiàn)TE和TM偏振控制的光柵參數(shù)范圍以及光柵在哪個位置時實現(xiàn)偏振控制最穩(wěn)定,通過MATLAB建立MEMS波長可調(diào)VCSEL的模型,然后計算光柵在3種位置時上反射鏡(包括空氣隙和光柵)隨光柵參數(shù)變化的反射率,以此來確定它們實現(xiàn)TE/TM穩(wěn)定偏振的光柵參數(shù)范圍(即高反射范圍內(nèi)的參數(shù))。將各自的高反射所對應(yīng)反射率減去相同光柵參數(shù)范圍內(nèi)TM/TE低反射對應(yīng)的反射率,通過反射率差值確定光柵在哪種位置時MEMS波長可調(diào)諧VCSEL實現(xiàn)偏振是最穩(wěn)定的。最后得出的結(jié)論是光柵在上DBR下表面幾乎無法控制TM偏振,而將光柵放置于內(nèi)腔中,無論是在TE偏振控制上還是TM偏振上都是最穩(wěn)定的。在實現(xiàn)TE偏振穩(wěn)定的參數(shù)范圍內(nèi),TE的閾值增益比TM最小少10 cm~(-1);而在實現(xiàn)TM偏振穩(wěn)定時,在TE偏振穩(wěn)定的參數(shù)范圍內(nèi),TE的閾值增益比TM最小少5 cm~(-1)。
[Abstract]:In order to determine the different positions of the subwavelength grating at the wavelength tunable VCSEL (on the upper surface of the DBR),The range of grating parameters controlled by te and TM polarization and the position of the grating are most stable in the upper DBR lower surface and inner cavity. The model of MEMS wavelength adjustable VCSEL is established by MATLAB.Then the reflectivity of the mirror (including air gap and grating) varying with the grating parameters at three positions is calculated to determine the range of grating parameters (i.e. the parameter in the high reflection range) that they achieve stable polarization of TE/TM.The reflectivity corresponding to each high reflection is subtracted from the low reflectivity of TM/TE in the range of the same grating parameters, and the MEMS wavelength tunable VCSEL polarization is the most stable when determining the position of the grating by the reflectivity difference.It is concluded that the grating can hardly control the TM polarization on the lower surface of the upper DBR, but the grating is the most stable in both the te polarization control and the TM polarization control when the grating is placed in the inner cavity.The threshold gain of te is 10 cm ~ (-1) less than that of TM in the parameter range of te polarization stability, and the threshold gain of te is 5 cm ~ (-1) less than that of TM in the parameter range of te polarization stability.
【作者單位】: 衢州職業(yè)技術(shù)學院信息工程學院;北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院光電子技術(shù)實驗室;
【基金】:國家自然科學基金(61650404) 衢州市科技計劃項目(2015Y021) 衢州職業(yè)技術(shù)學院項目(QZYY1612)資助~~
【分類號】:TN248

【參考文獻】

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1 江孝偉;武華;;一維增透亞波長光柵的研究[J];發(fā)光學報;2017年02期

【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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1 羅君;VCSEL的發(fā)展現(xiàn)狀和市場應(yīng)用[J];光子技術(shù);2003年04期

2 ;850 nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics[J];Semiconductor Photonics and Technology;2004年01期

3 李林,鐘景昌,張永明,蘇偉,趙英杰,晏長嶺,郝永琴,姜曉光;Oxide-apertured VCSEL with short period superlattice[J];Chinese Optics Letters;2004年12期

4 ;Rate-equation-based VCSEL thermal model and simulation[J];Journal of Zhejiang University Science A(Science in Engineering);2006年12期

5 Fumio Koyama;;New functions of VCSEL-based optical devices Invited Paper[J];Chinese Optics Letters;2008年10期

6 程奇;發(fā)射波長為1.6μm的VCSEL適于批量生產(chǎn)[J];光電子技術(shù)與信息;2000年06期

7 張勁松,曹明翠,陳濤,譚偉;VCSEL技術(shù)與并行光互聯(lián)[J];光通信研究;2002年06期

8 陳弘達,申榮鉉,毛陸虹,唐君,梁琨,杜云,黃永箴,吳榮漢,馮軍,柯錫明,劉歡艷,王志功;16信道0.35μmCMOS/VCSEL光發(fā)射模塊(英文)[J];半導體學報;2003年03期

9 趙鼎,林世鳴;確定VCSEL電勢及載流子自洽分布算法的研究[J];半導體學報;2003年10期

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3 韶海鈴;王榮;;新一代光通信激光管VCSEL[A];2005通信理論與技術(shù)新進展——第十屆全國青年通信學術(shù)會議論文集[C];2005年

4 謝志國;鄭榮升;林開群;閻杰;張永生;;基于可見光VCSEL的聚合物光纖高速信號傳輸[A];光子科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化——長三角光子科技創(chuàng)新論壇暨2006年安徽博士科技論壇論文集[C];2006年

5 ;A Proposal of Integrated RSNOM-RW Scanning Head Array for Ultrahigh Density and Ultrahigh Rate Optical Memory with VCSEL-Tip[A];2003年納米和表面科學與技術(shù)全國會議論文摘要集[C];2003年

6 丁松鶴;馬玲;趙俊;;高精度VCSEL激光器自動溫控系統(tǒng)設(shè)計[A];中國空間科學學會空間探測專業(yè)委員會第二十六屆全國空間探測學術(shù)研討會會議論文集[C];2013年

7 劉杰;高劍剛;李玉權(quán);;VCSEL技術(shù)及其在光互連中的應(yīng)用[A];全國第十二次光纖通信暨第十三屆集成光學學術(shù)會議論文集[C];2005年

8 ;Crosstalk analysis of 4×48 parallel optical interconnect system based on VCSEL/CMOS optoelectronic chip and 2-D optical fiber data link[A];湖北省激光學會論文集[C];2000年

9 王科;鄭婉華;張冶金;任剛;杜曉宇;邢名欣;陳良惠;;光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器的模式分析[A];第十六屆全國半導體物理學術(shù)會議論文摘要集[C];2007年

10 Wei-Chou Hsu;Tsin-Dong Lee;Chih-Hung Chiou;;Single Mode InGaAs Photonic Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers emitting at 1170nm[A];Proceedings of the Eighth Chinese Optoelectronics Symposium[C];2006年

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4 王偉;高功率垂直腔面發(fā)射激光器的偏振特性[D];中國科學院研究生院(長春光學精密機械與物理研究所);2012年

5 徐軍;單模VCSEL自混合測速、測距及三維圖像技術(shù)的研究[D];中國科學技術(shù)大學;2006年

6 劉迪;高功率垂直腔面發(fā)射激光器的熱行為特性[D];中國科學院研究生院(長春光學精密機械與物理研究所);2012年

7 晏長嶺;垂直腔面發(fā)射激光器的研制及其特性分析[D];中國科學院長春光學精密機械與物理研究所;2000年

8 黃占超;長波長垂直腔面發(fā)射激光器材料與物理研究[D];中國科學院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所);2006年

9 張祥偉;高功率垂直腔面發(fā)射激光器的偏振控制[D];中國科學院研究生院(長春光學精密機械與物理研究所);2013年

10 程俊強;高速光纖通信系統(tǒng)中垂直腔面發(fā)射激光器的特性研究[D];北京郵電大學;2007年

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6 楊傳世;16Gb/s VCSEL驅(qū)動器優(yōu)化設(shè)計[D];東南大學;2015年

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本文編號:1722880

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