本文選題：低能離子束刻蝕　切入點(diǎn)：粗糙度　出處：《西安工業(yè)大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：納米材料有著諸多的優(yōu)良特性,隨著科技的發(fā)展,各國(guó)對(duì)于納米材料的研究更加深入,納米材料的發(fā)展也更加迅猛。所以本文的核心技術(shù)就是可以有效的形成物體表面納米結(jié)構(gòu)的低能離子束刻蝕技術(shù)。本文的刻蝕對(duì)象為藍(lán)寶石晶體,對(duì)藍(lán)寶石晶體的研究是因?yàn)槠涔鈱W(xué)、化學(xué)、機(jī)械等等各個(gè)方面的廣泛應(yīng)用,現(xiàn)如今更是軍用光電設(shè)備中不可或缺的材料。本文采用微波回旋共振離子源,通過(guò)改變刻蝕的入射能量、入射角度、刻蝕時(shí)間以及離子束束流這些因素刻蝕藍(lán)寶石樣片。針對(duì)刻蝕后的藍(lán)寶石樣片,用Taylor Sure CCI2000非接觸式表面測(cè)量?jī)x測(cè)量表面粗糙度、分光光度計(jì)測(cè)量透射率以及用德國(guó)Bruker公司生產(chǎn)的Multimode8原子力顯微鏡測(cè)量表面納米結(jié)構(gòu)。對(duì)測(cè)量后的三方面數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)、分析,得出結(jié)論如下：1)當(dāng)刻蝕時(shí)間、離子束流以及刻蝕角度固定的情況下,刻蝕后的藍(lán)寶石表面透射率會(huì)隨著入射能量的增加而變大,但入射能量的改變對(duì)樣品表面納米結(jié)構(gòu)影響很小。2)當(dāng)入射能量、離子束流以及刻蝕角度固定的情況下,改變刻蝕時(shí)間60min為120min,刻蝕后的藍(lán)寶石粗糙度及表面透射率都有增加,樣品表面結(jié)構(gòu)更加有序。3)當(dāng)刻蝕時(shí)間不變、刻蝕角度不變時(shí),離子束流由35mA增加到45mA,刻蝕后的藍(lán)寶石表面粗糙度以及表面透過(guò)率都有所增加。4)當(dāng)固定參數(shù)下刻蝕后的藍(lán)寶石的表面粗糙度大時(shí),測(cè)得的表面納米結(jié)構(gòu)圖也更為清晰、有序,相反當(dāng)表面粗糙度較小時(shí),表面納米結(jié)構(gòu)相對(duì)平滑。
[Abstract]:In this paper , the surface roughness and the surface transmittance of sapphire have been increased by changing the etching time , ion beam flow and etching angle .

【學(xué)位授予單位】：西安工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TN305.7

【參考文獻(xiàn)】

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1 趙紹唐;;SEM515掃描電子顯微鏡的原理與應(yīng)用[J];航空兵器;1991年02期

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1 李瑞;低能離子束刻蝕中自組織納米結(jié)構(gòu)形成研究[D];西安工業(yè)大學(xué);2012年

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本文編號(hào)：1721622