本文選題：MOS器件　切入點：振蕩器　出處：《福州大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2017年05期

【摘要】：提出一種全MOS器件補償溫度和溝調(diào)效應(yīng)電流控制環(huán)形振蕩器,以減小通信時鐘恢復(fù)電路振蕩器的振蕩頻率偏移.與傳統(tǒng)振蕩器相比,該振蕩器采用全MOS器件設(shè)計溫度和偏置電流補償電路,在增強可靠性的情況下降低了溫度和溝調(diào)效應(yīng)引起的頻率偏移.電路采用0.35μm標準MOS工藝設(shè)計,通過與傳統(tǒng)振蕩器性能進行仿真比較,該方法振蕩頻率的偏移量得到明顯改善.
[Abstract]:A full MOS compensation temperature and trench effect current controlled ring oscillator is proposed to reduce the oscillation frequency offset of the communication clock recovery circuit oscillator. The full MOS device is used to design the temperature and offset current compensation circuit, which reduces the frequency offset caused by temperature and trench effect in the case of enhanced reliability. The circuit is designed in 0.35 渭 m standard MOS process. Compared with the traditional oscillator, the deviation of the oscillation frequency of this method is improved obviously.
【作者單位】： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院福建省集成電路設(shè)計中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61501122)
【分類號】：TN752

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