本文選題：InSb　切入點(diǎn)：界面陷阱　出處：《西安電子科技大學(xué)學(xué)報》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：界面陷阱會顯著影響探測器的瞬態(tài)特性,為揭示其內(nèi)在機(jī)理,并為探測器設(shè)計提供借鑒,基于二維仿真開展了背照式光伏型InSb紅外探測器瞬態(tài)特性的界面陷阱效應(yīng)研究,分析了界面陷阱與空穴濃度、復(fù)合率、電場等關(guān)鍵物理參數(shù)的相關(guān)性.研究表明,隨著界面陷阱密度的增加,界面附近的復(fù)合率和電場會隨之增加,空穴濃度會減小,而在電流密度分布中出現(xiàn)了"黑洞",且該"黑洞"位置逐漸向pn結(jié)移動.此外,隨著界面陷阱密度的增加,瞬態(tài)光響應(yīng)會逐漸減小.
[Abstract]:Interface traps can significantly affect the transient characteristics of the detector. In order to reveal its intrinsic mechanism and provide reference for the design of the detector, the interfacial trap effect of the transient characteristics of the backlit photovoltaic InSb infrared detector is studied based on two-dimensional simulation. The correlation between interface trap and key physical parameters, such as hole concentration, recombination rate, electric field and so on, is analyzed. It is shown that with the increase of interface trap density, the recombination rate and electric field near the interface will increase and the hole concentration will decrease. The "black hole" appears in the current density distribution, and the position of the "black hole" gradually moves to the PN junction. In addition, with the increase of the density of the interface trap, the transient optical response decreases gradually.
【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)物理與光電工程學(xué)院;工業(yè)和信息化部電子第五研究所元器件檢測中心;中國空空導(dǎo)彈研究院紅外探測器航空科技重點(diǎn)實(shí)驗室;
【基金】：航空科學(xué)基金資助項目(2012*****02) 國家自然科學(xué)基金資助項目(61307121)
【分類號】：TN215

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1645606