發(fā)布時間：2018-03-21 12:32

  本文選題：GaSb　切入點：表面鈍化　出處：《長春理工大學》2017年碩士論文　論文類型：學位論文

【摘要】：GaSb材料作為重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料,是實現(xiàn)高性能中紅外波段激光器的首選材料,在激光制導、光通訊等軍事、民用領域均有廣泛應用。但GaSb材料表面化學性質活潑,具有極高的表面態(tài)密度,嚴重影響了光電子器件的性能。而表面鈍化可以有效減少表面態(tài)密度,提高材料表面發(fā)光強度,因此開展GaSb材料的表面鈍化研究工作具有極其重要的意義。針對濕法硫鈍化會引入新的表面態(tài)及鈍化過程不易控制等缺點,本文提出基于原子層刻蝕的氮鈍化方法,在等離子體增強原子層沉積(PEALD)系統(tǒng)中,利用氮等離子體對GaSb材料表面進行精確的原子層刻蝕技術,得到了氮鈍化最佳的工藝條件。在不同氮鈍化實驗中,有效減少了表面氧化層,提高了n型GaSb材料的光致發(fā)光強度。氮鈍化中實驗條件的改變將對Ga(3d)能級和Sb(3d)能級及相應化學成鍵產生重要影響。通過鈍化穩(wěn)定性實驗表明,氮鈍化在15天內的穩(wěn)定性較好,能夠抑制二次氧化問題。并且,根據(jù)AFM測試得出,鈍化處理后的樣品也具有較好的平整度。本文通過氮鈍化對GaSb材料的處理方法,達到良好的鈍化效果,并具有較好的穩(wěn)定性,因此本研究工作為提高GaSb基半導體激光器性能,改進GaSb基半導體激光器鈍化工藝奠定基礎。
[Abstract]:As an important class 鈪，

本文編號：1643866