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光泵浦Si襯底GaN基回音壁模式微盤諧振腔激光器

發(fā)布時(shí)間:2018-03-13 13:34

  本文選題:GaN 切入點(diǎn):微盤 出處:《半導(dǎo)體光電》2017年05期  論文類型:期刊論文


【摘要】:氮化鎵基微盤結(jié)構(gòu)光學(xué)諧振腔具有波長(zhǎng)選擇范圍寬、模式體積小和激射閾值低等特點(diǎn),其在腔量子電動(dòng)力學(xué)、低閾值激光器、生物傳感器等方面具有重要的研究?jī)r(jià)值。通過(guò)優(yōu)化制備微盤的干法刻蝕工藝及選擇性濕法腐蝕技術(shù),制備出側(cè)壁陡峭且光滑的高Q值Si襯底GaN基回音壁模式微盤諧振腔,該微盤諧振腔的制備工藝簡(jiǎn)單、表面損傷小。在室溫、266nm短波長(zhǎng)激光泵浦條件下,微盤諧振腔激光器實(shí)現(xiàn)了激射,閾值為2.85MW/cm2,Q值達(dá)到2 161。
[Abstract]:The optical resonator with gallium nitride microdisk structure has the characteristics of wide wavelength selection range, small mode volume and low emission threshold. It is used in cavity quantum electrodynamics, low threshold laser, etc. Biosensor has important research value. By optimizing the dry etching technology and selective wet etching technology, a high Q Si substrate GaN based echo wall mode microdisk resonator with steep and smooth sidewall is fabricated. The fabrication process of the microdisk resonator is simple and the surface damage is small. Under the condition of short wavelength laser pumping at room temperature of 266nm, the laser of the microdisk resonator can realize the laser with a threshold of 2.85 MW / cm ~ (2) Q value of 2161.
【作者單位】: 中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61574173,61274039) 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目(2016YFB0400100) 廣東省對(duì)外科技合作項(xiàng)目(2013B051000041) 廣州市科技計(jì)劃項(xiàng)目(2016201604030055) 佛山市科技計(jì)劃項(xiàng)目(201603130003)
【分類號(hào)】:TN248

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本文編號(hào):1606600

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