發(fā)布時(shí)間：2018-03-10 20:48

  本文選題：Si-SiO_界面　切入點(diǎn)：電導(dǎo)法　出處：《微電子學(xué)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：通過(guò)交流電導(dǎo)法,對(duì)經(jīng)過(guò)不同時(shí)間N_2O快速熱處理(RTP)的MOS電容進(jìn)行界面特性和輻照特性研究。通過(guò)電導(dǎo)電壓曲線,分析N_2O RTP對(duì)Si-SiO_2界面陷阱電荷和氧化物陷阱電荷造成的影響。結(jié)論表明,MOS電容的Si-SiO_2界面陷阱密度隨N_2O快速熱處理時(shí)間先增加再降低;零偏壓總劑量輻照使氧化層陷阱電荷顯著增加,而Si-SiO_2界面陷阱電荷輕微減少。
[Abstract]:The interface characteristics and irradiation characteristics of MOS capacitors after N2O rapid heat treatment at different time were studied by AC conductance method. The effect of RTP on Si-SiO_2 interface trap charge and oxide trap charge is analyzed. It is concluded that the Si-SiO_2 interface trap density of MOS capacitors increases first and then decreases with the rapid heat treatment time. The total dose of zero bias increases the trapping charge of the oxide layer significantly, while the interface trap charge of Si-SiO_2 decreases slightly.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;中國(guó)科學(xué)院硅器件技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61404169,61404161)
【分類號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：1595018