本文選題：光學器件　切入點：AlGaInP　出處：《激光與光電子學進展》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)外延AlGaInP發(fā)光二極管,制備成面積小于12 mil×12 mil(300μm×300μm,1mil=25.4μm)的芯片,封裝成裸晶結構并在50mA、50℃加速應力環(huán)境下進行1008h老化壽命實驗,研究外延結構中不同摻雜濃度的分布式布拉格反射鏡(DBR)及分段摻雜P型層對小尺寸芯片老化性能的影響。結果表明:隨著芯片尺寸縮小,光衰幅度變大,當芯片尺寸小于9mil×9mil(225μm×225μm)時,通過提升DBR的摻雜濃度可以明顯降低光衰幅度;降低與過渡層相鄰的P-Al_(0.5)In_(0.5)P薄層的摻雜濃度,形成分段摻雜P型層,通過降低第二段P-Al_(0.5)In_(0.5)P薄層的摻雜濃度,可以進一步提升老化性能。尺寸為6mil×6mil(150μm×150μm)的芯片在50mA、50℃環(huán)境下老化1008h,其光衰幅度可控制在-6%以內。
[Abstract]:An epitaxial AlGaInP light-emitting diode (AlGaInP) with an area of less than 12 mil 脳 12 mil(300 渭 m 脳 300 渭 m 脳 1miln 25.4 渭 m was fabricated by metal-organic chemical vapor deposition system. The chip was encapsulated into a bare crystal structure and the aging life of 1008 h was carried out at 50 鈩，

本文編號：1561126