發(fā)布時間：2018-02-20 15:21

  本文關(guān)鍵詞： 載流子存儲槽柵雙極型晶體管 電場調(diào)制 電場分布 擊穿電壓 關(guān)斷時間　出處：《微電子學(xué)》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：提出了一種性能優(yōu)良的電場調(diào)制載流子存儲槽柵雙極型晶體管(CSTBT)。結(jié)合電場調(diào)制原理,在器件的載流子存儲(CS)層引入P摻雜條,改善器件柵極下方氧化硅拐角處的電場分布,防止器件提前發(fā)生雪崩擊穿,提高了器件的擊穿電壓。器件處于關(guān)斷狀態(tài)時,內(nèi)部大量的空穴載流子通過CS層中未完全耗盡的P摻雜條到達(dá)發(fā)射極,抑制了CS層阻擋空穴的作用,有效提高了器件的關(guān)斷速度。與傳統(tǒng)CSTBT器件相比,改進(jìn)器件的擊穿電壓值提高了379V,關(guān)斷時間縮短了19.1%,器件性能大幅提高。
[Abstract]:A novel electric-field modulated carrier gate bipolar transistor (CSTBTT) with excellent performance is proposed. Combining with the principle of electric field modulation, P-doped strip is introduced into the carrier storage layer of the device to improve the electric field distribution at the corner of silicon oxide under the gate of the device. In order to prevent avalanche breakdown in advance, the breakdown voltage of the device is increased. When the device is turned off, a large number of hole carriers in the device reach the emitter through the incomplete P-doped strip in the CS layer. Compared with the conventional CSTBT devices, the breakdown voltage of the improved devices is increased by 379V, the turn-off time is shortened by 19.1V, and the device performance is greatly improved.
【作者單位】： 西南交通大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院MCU聯(lián)合實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61404110)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：1519292