本文關鍵詞： 電荷泵 體效應 轉換效率 低電壓　出處：《微電子學與計算機》2017年10期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：針對于傳統(tǒng)電荷泵結構存在的閾值壓降和受體效應影響的問題,在傳統(tǒng)四相時鐘電荷泵結構基礎上通過增加襯底自舉電容及輔助管增大傳輸管的襯底電壓,降低體效應的影響,提升了電荷泵電路的轉換效率,降低了電荷泵電路的啟動電壓.電荷泵電路基于TSMC 0.18μm CMOS工藝進行設計與仿真,仿真結果表明:改進型電荷泵的工作電壓可以低至0.8V,轉換效率76.25%.
[Abstract]:In order to solve the problem of threshold pressure drop and receptor effect existing in traditional charge pump structure, the substrate voltage of transmission tube is increased by increasing substrate bootstrap capacitance and auxiliary tube on the basis of traditional four-phase clock charge pump structure. The effect of volume effect is reduced, the conversion efficiency of charge pump circuit is improved, and the start-up voltage of charge pump circuit is reduced. The charge pump circuit is designed and simulated based on TSMC 0.18 渭 m CMOS process. The simulation results show that the working voltage of the improved charge pump can be as low as 0.8 V and the conversion efficiency is 76.25.
【作者單位】： 上海大學材料科學與工程學院;中國科學院上海高等研究院;
【分類號】：TN402
【正文快照】： 1引言近年來,隨著無源射頻識別(RFID)技術的應用深入,對于標簽的識別距離要求越來越高,而標簽芯片的功耗是影響電子標簽閱讀距離的最主要因素[1],因此要求標簽芯片的功耗越來越低.存儲器作為RFID標簽存儲信息的載體,是RFID標簽芯片必不可少的核心電路之一,它的讀寫功耗是標簽

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本文編號：1487659