本文關(guān)鍵詞： 隨機(jī)電報信號(RTS)噪聲 短溝道MOS器件 噪聲測量 LMS算法 可靠性　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2016年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：隨機(jī)電報信號(RTS)噪聲是表征短溝道器件可靠性的重要敏感參數(shù),能敏感地反映MOS器件中的邊界陷阱,為探測小尺寸器件中的缺陷提供了有效的手段。為了能夠準(zhǔn)確測量出RTS,采用了無噪聲偏置電路,設(shè)計了兩級抑噪電路。在兩通道三個運算放大器的基礎(chǔ)上,設(shè)計了RTS噪聲測量放大器,提出一種改進(jìn)的變步長LMS數(shù)字濾波器算法,構(gòu)造了步長函數(shù)和誤差的相關(guān)值之間的非線性表達(dá)式。實驗結(jié)果表明,在較小的RTS時間常數(shù)下,相同精度時,參量提取的誤差比傳統(tǒng)方法減小20%,同時新算法具有更快的收斂速度,良好的穩(wěn)態(tài)誤差性。
[Abstract]:Random Telegraph signal (RTS) noise is an important sensitive parameter to characterize the reliability of short channel devices and can sensitively reflect the boundary traps in MOS devices. In order to accurately measure RTS, a noise-free bias circuit is used. A two-stage noise suppression circuit is designed. On the basis of two channels and three operational amplifiers, a RTS noise measurement amplifier is designed, and an improved variable step size LMS digital filter algorithm is proposed. The nonlinear expression between the step size function and the correlation value of the error is constructed. The experimental results show that the error of parameter extraction is 20% less than that of the traditional method under the small RTS time constant with the same precision. At the same time, the new algorithm has faster convergence speed and better steady-state error.
【作者單位】： 長春理工大學(xué)電子信息工程學(xué)院;東北電力大學(xué)信息工程學(xué)院;北華大學(xué)電氣信息工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61271115)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 0引言隨著器件工藝的不斷改進(jìn),短溝道MOS器件的低頻噪聲由1/f噪聲退化為隨機(jī)電報信號(RTS)噪聲[1]。由于信號對器件界面上的微小變化極其敏感,目前,RTS噪聲是對MOS器件邊界陷阱進(jìn)行非破壞性研究的唯一手段[2-5],也是表征短溝道器件可靠性的重要敏感參數(shù),而研究RTS噪聲的關(guān)鍵在

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 鮑立;包軍林;莊奕琪;;利用RTS噪聲確定MOSFET氧化層中陷阱位置的方法[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2006年08期

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 鮑立;莊奕琪;包軍林;李偉華;;高柵壓下超薄柵nMOSFET的RTS噪聲[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2007年04期

2 鮑立;莊奕琪;馬曉華;包軍林;;90nm MOS器件亞閾值區(qū)RTS噪聲幅度[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2007年09期

3 方雯;Eddy Simoen;Li Chikang;Marc Aoulaiche;羅軍;趙超;Cor Claeys;;Silicon-film-related random telegraph noise in UTBOX silicon-on-insulator nMOSFETs[J];Journal of Semiconductors;2015年09期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 王晶;半導(dǎo)體激光器可靠性檢測系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn)[D];吉林大學(xué);2007年

2 劉雪;微波器件低頻噪聲測試及無損診斷方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2012年

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 ;MOS器件的三個輻照問題[J];微電子學(xué)與計算機(jī);1975年05期

2 王再新;常天海;汪志成;黎曦;;MOS器件抗靜電性能分析[J];安全;2007年02期

3 崔強(qiáng);韓雁;董樹榮;劉俊杰;斯瑞s，

本文編號：1474688