本文關(guān)鍵詞： 并網(wǎng)系統(tǒng) IGBT模塊 MATLAB/Simulink ANSYS 溫度場(chǎng)分布　出處：《電子技術(shù)應(yīng)用》2017年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：溫度影響著絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的可靠性,采用傳統(tǒng)的功電熱耦合仿真模型只能測(cè)得IGBT模塊離線情況下的一個(gè)結(jié)溫,不能獲得實(shí)際工況下芯片表面的溫度場(chǎng)分布。在傳統(tǒng)功率循環(huán)試驗(yàn)仿真的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),考慮到IGBT關(guān)斷過(guò)程中的電壓緩變,將該電壓作為載荷,利用數(shù)值仿真軟件ANSYS熱分析環(huán)境,采用有限元分析方法得到模塊溫度場(chǎng)分布圖,分析了溫度場(chǎng)分布特征,可知溫度較高區(qū)域出現(xiàn)在有源區(qū)的四周邊沿處,這同以前的實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致,證明仿真模型的正確性。以上分析對(duì)研究IGBT模塊的可靠性和模塊在線監(jiān)測(cè)具有一定的指導(dǎo)意義。
[Abstract]:Temperature affects the reliability of insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. Using the traditional power-electro-thermal coupling simulation model, only one junction temperature can be measured when the IGBT module is off-line. The temperature field distribution on the chip surface can not be obtained under the actual working conditions. Based on the traditional power cycle test simulation, the voltage is considered as the load when the voltage is slowly changing in the IGBT turn-off process. Using the numerical simulation software ANSYS thermal analysis environment, the finite element analysis method is used to obtain the temperature field distribution diagram of the module, and the temperature field distribution characteristics are analyzed. It can be seen that the higher temperature region appears at the edge of the active region, which is consistent with the previous experimental results. It is proved that the simulation model is correct. The above analysis has certain guiding significance to study the reliability of IGBT module and the on-line monitoring of the module.
【作者單位】： 上海電力學(xué)院電子與信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61107081) 上海市地方能力建設(shè)項(xiàng)目(15110500900,14110500900)
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 0引言 絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模塊作為中壓、大功率典型的變流器件,在能源并網(wǎng)系統(tǒng)中的使用非常廣泛。研究IGBT的可靠性為研究變流裝置的可靠性乃至能源并網(wǎng)系統(tǒng)的可靠性都有非常重要的意義[1]。溫度是IGBT模塊最重要的參數(shù),它不僅影響

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 N.沃馬羅;M.奧蘇基;Y.霍希;S.約希沃塔里;T.米耶塞凱;Y.西基;花蕾;;1200V和1700V新型IGBT模塊溝槽及電場(chǎng)截止型IGBT低注入續(xù)流二極管[J];電力電子;2004年04期

2 Jussi Karttunen;Samuli Kallio;Pertti Silventoinen;鄭鵬洲;;多芯片IGBT模塊實(shí)時(shí)熱模型的應(yīng)用[J];電力電子;2012年04期

3 江興;;IGBT芯片和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬勃發(fā)展[J];半導(dǎo)體信息;2012年02期

4 喬冠梁;丁遠(yuǎn)翔;丁學(xué)文;;IGBT模塊的一種驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)[J];國(guó)外電子元器件;2007年10期

5 湯姆·亞當(dāng)斯;;IGBT模塊焊錫厚度均勻性的檢測(cè)[J];電力電子;2013年02期

6 孫國(guó)印;IGBT模塊應(yīng)用中過(guò)電壓的抑制[J];電力電子技術(shù);2002年04期

7 宮崎裕二;村\『陫;日吉道明;;適合中高頻應(yīng)用的NFM系列IGBT模塊[J];電力電子技術(shù);2006年04期

8 翟超;郭清;盛況;;IGBT模塊封裝熱應(yīng)力研究[J];機(jī)電工程;2013年09期

9 吳武臣,張華,董利民,Ｍ．Ｈｅｌｄ,Ｐ．Ｓｃａｃｃｏ,Ｐ．Ｊａｃｏｂ;大功率半橋IGBT模塊的鎖定效應(yīng)研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);1997年06期

10 鄭冬冬;;IR發(fā)布低溫高速隔離式IGBT模塊[J];半導(dǎo)體信息;2003年02期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 劉蕩波;;IGBT模塊及其應(yīng)用[A];中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

2 劉蕩波;張立;張歧寧;王曉寶;;IGBT模塊及其應(yīng)用[A];展望新世紀(jì)——’02學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前1條

1 江蘇 趙建南;對(duì)IGBT模塊過(guò)熱保護(hù)設(shè)定溫度的看法[N];電子報(bào);2004年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前4條

1 吳煜;T字型三電平IGBT模塊瞬態(tài)行為研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

2 鄒凱凱;高壓IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試與建模[D];華北電力大學(xué);2015年

3 秦星;風(fēng)電變流器IGBT模塊結(jié)溫計(jì)算及功率循環(huán)能力評(píng)估[D];重慶大學(xué);2014年

4 王彥剛;IGBT模塊熱行為及可靠性研究[D];北京工業(yè)大學(xué);2000年

，

本文編號(hào)：1470381