本文關(guān)鍵詞： 絕緣柵雙極型晶體管 驅(qū)動電路 短路保護　出處：《電力電子技術(shù)》2016年07期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：根據(jù)大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)對驅(qū)動電路和保護的要求,提出一種基于M57962AL的實用型大功率IGBT驅(qū)動電路及其保護的設(shè)計方案,該設(shè)計方案選取IGBT輸出特性曲線的拐點作為短路保護閾值點,可有效防止誤保護。以FF1200R17KE3_B2為例,根據(jù)提出的設(shè)計方案設(shè)計合適的驅(qū)動參數(shù)、保護參數(shù)及外圍電路。通過短路保護測試及大功率實驗結(jié)果驗證該驅(qū)動電路具有良好的驅(qū)動和保護能力。
[Abstract]:According to the requirements of high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) for driving circuit and protection. A practical high power IGBT driver circuit based on M57962AL and its protection scheme are proposed. The inflection point of IGBT output characteristic curve is selected as the threshold point of short circuit protection. Take FF1200R17KE3_B2 as an example to design the appropriate driving parameters according to the proposed design scheme. Protection parameters and peripheral circuits. The test results of short circuit protection and high power experiments show that the drive circuit has good driving and protection capability.
【作者單位】： 國網(wǎng)浙江省電力公司電力科學研究院;
【分類號】：TN322.8
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本文編號：1442039