發(fā)布時間：2018-01-12 05:29

  本文關(guān)鍵詞：高溫存儲下不同成分Sn-Pb凸點(diǎn)可靠性研究　出處：《電子技術(shù)應(yīng)用》2017年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：隨著我國集成電路封裝密度的不斷提高,引線鍵合方式已無法滿足需求,倒裝焊技術(shù)逐漸成為高密度封裝主流方向。高溫存儲對倒裝焊凸點(diǎn)的可靠性有著重大影響,界面化合物及晶粒形態(tài)均會發(fā)生顯著變化。以多種SnPb凸點(diǎn)為研究對象,分析高溫存儲對凸點(diǎn)可靠性的影響,結(jié)果表明:10Sn90Pb凸點(diǎn)剪切強(qiáng)度波動幅度較小;Sn含量越高,高溫存儲后焊料界面處IMC層越厚,63Sn37Pb焊料界面IMC變化最為明顯;63Sn37Pb凸點(diǎn)IMC生長速度較快,晶粒粗化現(xiàn)象較為嚴(yán)重。
[Abstract]:With China's IC packaging density increasing, wire bonding has been unable to meet the demand, the flip chip technology has gradually become the mainstream direction. High density packaging has a significant impact on high-temperature storage reliability of flip chip bump, interfacial compound and grain morphology will produce obvious changes. In a variety of SnPb bumps on analysis of the influence of high temperature object, storing the bump reliability results show: 10Sn90Pb bump shear strength fluctuation amplitude is smaller; the content of Sn is higher, after high temperature storage at IMC solder interface layer is thicker, 63Sn37Pb solder interface IMC the most obvious changes; 63Sn37Pb bump IMC growth speed, the grain coarsening phenomenon is more serious.

【作者單位】： 北京微電子技術(shù)研究所;
【分類號】：TN405
【正文快照】： 0引言倒裝焊技術(shù)由于芯片引出端采用面陣列排布方式,具有信號傳輸距離短、高密度、高頻性能優(yōu)異、低串?dāng)_和高可靠等特點(diǎn),是解決高密度先進(jìn)封裝最為有效的途徑之一,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高密度集成電路封裝中。倒裝焊工藝中,首先在芯片引出端焊盤上制備凸點(diǎn),然后使芯片翻轉(zhuǎn),并與外殼

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