本文關(guān)鍵詞：石墨烯對(duì)多孔硅光學(xué)性能的影響　出處：《微納電子技術(shù)》2017年09期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 石墨烯 多孔硅 電流密度 復(fù)合材料 光致發(fā)光

【摘要】：采用電化學(xué)腐蝕法,通過改變腐蝕電流密度制備出不同孔徑的多孔硅襯底。通過熒光分光光度計(jì)對(duì)多孔硅進(jìn)行光致發(fā)光性能測(cè)試,測(cè)試結(jié)果發(fā)現(xiàn)腐蝕電流密度會(huì)對(duì)其光致發(fā)光性能產(chǎn)生影響,當(dāng)腐蝕電流密度為30 mA/cm~2時(shí),制備出的多孔硅光致發(fā)光性能較好。通過濕法轉(zhuǎn)移法將化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備出的石墨烯轉(zhuǎn)移到多孔硅表面,利用喇曼光譜對(duì)石墨烯進(jìn)行質(zhì)量及層數(shù)檢測(cè)。通過熒光分光光度計(jì)及傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR)對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行表征。結(jié)果表明石墨烯可以改變多孔硅表面態(tài),使多孔硅的光致發(fā)光性能得到極大的提高。研究成果為多孔硅應(yīng)用到光學(xué)傳感器中提供了新的研究方向。
[Abstract]:Porous silicon substrates with different pore sizes were prepared by electrochemical etching method and the photoluminescence properties of porous silicon were measured by fluorescence spectrophotometer. The results show that the corrosion current density will affect the photoluminescence performance, when the corrosion current density is 30 Ma / cm ~ 2:00. The photoluminescence properties of the prepared porous silicon are good. The graphene prepared by chemical vapor deposition (CVD) method is transferred to the surface of porous silicon by wet transfer method. The quality and layer number of graphene were measured by Raman spectroscopy. FTIRs were measured by fluorescence spectrophotometer and Fourier transform infrared spectrometer (FTIR). The results show that graphene can change the surface state of porous silicon. The photoluminescence properties of porous silicon have been greatly improved. The research results provide a new research direction for the application of porous silicon in optical sensors.
【作者單位】： 江蘇大學(xué)微納米科學(xué)技術(shù)研究中心;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11404146)
【分類號(hào)】：TN304.12;TQ127.11
【正文快照】： 0引言多孔硅是硅片經(jīng)過表面處理所得到的產(chǎn)物,其不僅兼具硅原有的性能還具有其他良好的性能如較大的比表面積,在室溫下有良好的光學(xué)性能,因此多孔硅可以應(yīng)用到MEMS和太陽(yáng)電池中[1]。但是多孔硅的光致發(fā)光性能易受到其表面態(tài)影響,其光學(xué)性能的不穩(wěn)定會(huì)導(dǎo)致光學(xué)器件的失效。影響

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1404644