本文關(guān)鍵詞：電解質(zhì)調(diào)控場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其人造突觸器件應(yīng)用　出處：《中國(guó)材料進(jìn)展》2017年10期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：類腦神經(jīng)形態(tài)工程近年來(lái)正在成為信息領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn),將成為今后人工智能發(fā)展的有力補(bǔ)充和增長(zhǎng)點(diǎn),促進(jìn)微電子技術(shù)的發(fā)展。人腦中有~10~(11)個(gè)神經(jīng)元和~10~(15)個(gè)突觸連接,突觸結(jié)構(gòu)是神經(jīng)元間發(fā)生信息傳遞的關(guān)鍵部位,是人腦認(rèn)知行為的基本單元,得益于超大量的并行突觸計(jì)算,人腦的計(jì)算模式非常可靠,因此研制人造突觸器件對(duì)于神經(jīng)形態(tài)工程而言具有重要的意義。目前,國(guó)際上有關(guān)人造突觸器件的研究才剛剛起步,最新研究成果不斷涌現(xiàn),正在成為人工智能和神經(jīng)形態(tài)領(lǐng)域的一個(gè)重要分支,將為今后人工智能的發(fā)展注入新的活力。離子導(dǎo)體電解質(zhì)具有獨(dú)特的離子/電子界面耦合特性,其在靜電調(diào)控器件中有著獨(dú)特的應(yīng)用價(jià)值,為揭示凝聚態(tài)物質(zhì)的新規(guī)律提供了新的途徑,并且由于獨(dú)特的界面離子耦合特性及相關(guān)的界面電化學(xué)過(guò)程,其在人造突觸器件和神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)方面有著極強(qiáng)的應(yīng)用前景。
[Abstract]:Brain neuronal morphologic engineering is becoming a research hotspot in the field of information in recent years, which will be a powerful supplement and growth point for the development of artificial intelligence in the future. In order to promote the development of microelectronic technology, there are 11 neurons and 15 synapses in the human brain. The synaptic structure is the key site for the transmission of information between neurons. Human brain is the basic unit of cognitive behavior, thanks to a large number of parallel synaptic computing, the human brain computing model is very reliable, so the development of artificial synaptic devices for neural morphological engineering is of great significance. The research on artificial synaptic devices has just started in the world, and the latest research results are emerging constantly, which is becoming an important branch of artificial intelligence and neural morphology. Ion conductor electrolytes have unique ion / electronic interface coupling characteristics and have unique application value in electrostatic control devices. It provides a new way to reveal the new law of condensed matter, and because of the unique interface ion coupling characteristics and related interfacial electrochemical processes. It has a strong application prospect in artificial synaptic devices and neural morphological systems.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所浙江省石墨烯應(yīng)用研究重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】：寧波市科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目(2016B10005) 浙江省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(LR18F040002) 中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)(2014259),中科院交叉創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 1前言過(guò)去幾十年來(lái),半導(dǎo)體工業(yè)遵循了摩爾定律不斷向前發(fā)展,其中一個(gè)重要特點(diǎn)就是器件的微型化。然而,傳統(tǒng)硅基CMOS器件通常采用熱氧化Si O2或Si Nx作為柵介質(zhì),受限于這類柵介質(zhì)的物性和電性,器件微型化面臨著物理極限問(wèn)題,采用高介電常數(shù)柵介質(zhì)(高k)可以在一定程度上克服這一

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