本文關(guān)鍵詞：基于標(biāo)準(zhǔn)工藝的模數(shù)轉(zhuǎn)換器抗輻照加固設(shè)計(jì)與驗(yàn)證　出處：《電子科技大學(xué)》2016年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

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【摘要】：隨著電子信息技術(shù)的不斷發(fā)展,模數(shù)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器被更加廣泛應(yīng)用于航天電子設(shè)備中,如各類人造衛(wèi)星,航天飛行器等,它的抗輻射加固能力是航天電子設(shè)備保證其正常運(yùn)行的基本要求和技術(shù)瓶頸之一。因此,模數(shù)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的抗輻射加固技術(shù)對(duì)空間應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展具有重大意義。本論文針對(duì)瓶頸應(yīng)用需求,以高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器的抗輻照加固設(shè)計(jì)與驗(yàn)證為主要的研究對(duì)象,在深入分析當(dāng)今高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器理論和技術(shù)原理的基礎(chǔ)上,對(duì)高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)架構(gòu)、抗輻照設(shè)計(jì)和驗(yàn)證進(jìn)行了詳盡的討論和研究。根據(jù)輻照源的不同詳細(xì)分析了影響模數(shù)轉(zhuǎn)換器最常見(jiàn)的總劑量效應(yīng)和單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生物理機(jī)制和損傷機(jī)理,并針對(duì)損傷機(jī)理從電路設(shè)計(jì)、版圖布局及工藝加工等多個(gè)方面介紹了抗輻射加固的方法。基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS混合信號(hào)工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)抗輻照高速16位模數(shù)轉(zhuǎn)換器,解決了電路主要的關(guān)鍵單元的關(guān)鍵技術(shù):采用了一種無(wú)采保CMOS輸入緩沖器結(jié)構(gòu),有效降低了電路的功耗,并具有恒定阻抗和高線性度的特點(diǎn);設(shè)計(jì)的流水線核通過(guò)高網(wǎng)絡(luò)線性度的前端設(shè)計(jì)、電容失配的修調(diào)電路設(shè)計(jì)等措施達(dá)到整體模數(shù)轉(zhuǎn)換器指標(biāo)需求;穩(wěn)定的時(shí)鐘占空比控制電路有效保證了后級(jí)流水線的正常工作。最后,采用抗輻射加固技術(shù)對(duì)高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了抗輻射設(shè)計(jì),完成版圖設(shè)計(jì)及工藝流片,通過(guò)自建的高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)及輻照試驗(yàn)評(píng)估系統(tǒng)對(duì)封裝樣品進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證,結(jié)果表明文章設(shè)計(jì)的抗輻射高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
[Abstract]:With the continuous development of electronic information technology, analog to digital data converter is more widely used in aerospace electronic equipment, such as various types of satellites, spacecraft, radiation hardening ability is one of the basic requirements of its normal operation and technical bottleneck of aerospace electronic equipment guarantee. Therefore, is of great significance to strengthening anti radiation development of technology the application of analog to digital data converter space. This thesis aiming at the bottleneck of the application requirements, with high speed and high precision ADC radiation hardened design and verification as the main object of study, based on analysis of the high speed and high precision analog-to-digital converter theory and technology principle, design architecture of high speed and high precision analog-to-digital converter, anti radiation design and verification is discussed and studied. According to the detailed analysis of the different irradiation effects of the most common ADC total The physical mechanism and damage mechanism of dose effect and single event effect, and the damage mechanism from the aspects of circuit design, layout and process etc. introduced the method of radiation resistant. The standard CMOS mixed signal process design and implementation of a high speed anti radiation 16 bit analog to digital converter based on the key technologies to solve the key unit the main circuit: using a CMOS input buffer structure, effectively reduce the power consumption of the circuit, and has the characteristics of constant impedance and high linearity; high linearity front-end design network design of pipelining, trimming circuit design measures such as capacitor mismatch analog-to-digital converter to achieve the overall demand index stability; clock duty ratio control circuit ensures the normal work after the pipeline. Finally, the high speed and high precision analog-to-digital converter with anti radiation hardening technology The design of anti radiation, the completion of layout design and process, with high speed and high precision ADC parameters testing system and self irradiation test evaluation system to validate the samples, results show that the design of the anti radiation of high speed and high precision analog-to-digital converter to meet the design requirements.

【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN792

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1369256