飛秒激光參數(shù)對硅表面微結(jié)構(gòu)影響的研究
本文關(guān)鍵詞:飛秒激光參數(shù)對硅表面微結(jié)構(gòu)影響的研究 出處:《光學(xué)儀器》2016年05期 論文類型:期刊論文
更多相關(guān)文章: 表面微結(jié)構(gòu) 黑硅 脈沖寬度 激光峰值功率
【摘要】:為了制備出表面具有準規(guī)則排列的微米量級錐形尖峰結(jié)構(gòu)的黑硅材料,在SF6氣體氛圍中,用一定能量密度的飛秒脈沖激光照射單晶硅片表面。針對激光通量和激光峰值功率這兩個參量分別進行實驗,具體分析了15fs和130fs脈沖寬度的飛秒激光脈沖作用下硅表面微結(jié)構(gòu)的形成,不同實驗條件下制備出的硅微納結(jié)構(gòu)也有明顯的差異。研究表明,在同一背景氣體下,激光的峰值功率對硅表面微結(jié)構(gòu)的形成起著決定性的作用。
[Abstract]:In order to prepare the black silicon material with quasi - regular ordered micron conical spike structure on the surface , the surface of single crystal silicon is irradiated by femtosecond pulse laser with certain energy density in SF6 gas atmosphere . For the laser flux and laser peak power , the formation of microstructure of silicon surface under different experimental conditions is analyzed . The results show that the peak power of laser plays a decisive role in the formation of silicon surface microstructure under the same background gas .
【作者單位】: 上海理工大學(xué)上海市現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)重點實驗室;上海理工大學(xué)光電信息與計算機工程學(xué)院;
【基金】:國家重大儀器專項(2011YQ150021、2012YQ15009205) 上海市教育委員會上海市教育發(fā)展基金會“晨光計劃”(12CG54)
【分類號】:TN304.12;TN249
【正文快照】: 引言目前,激光技術(shù)的發(fā)展越來越迅速,采用激光技術(shù)對固體材料進行性質(zhì)的改善和研究也越來越普遍。在特定氣體SF6條件下,硅材料表面在飛秒激光脈沖的作用下會生成一種表面呈黑色的比較特別的微納結(jié)構(gòu),能在表面產(chǎn)生這種微結(jié)構(gòu)的硅材料稱為黑硅[1]。與通常的硅材料相比,這種黑硅
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,本文編號:1363875
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