本文關鍵詞：基于基片集成波導的高選擇性平衡濾波器研究　出處：《南京理工大學》2016年碩士論文　論文類型：學位論文

  更多相關文章： 基片集成波導 平衡濾波器 高選擇性 高共模抑制 槽線

【摘要】：基片集成波導(Substrate Integrated Waveguide, SIW)平衡濾波器不僅具有高品質因數、高功率容量、尺寸小、重量輕、易集成等優(yōu)點,同時對環(huán)境噪聲具有高免疫性,近幾年已被廣泛應用在實際工程中,具有極高的應用價值。交叉耦合技術是一種常用的改善濾波器性能的設計技術,通過在通帶兩側引入傳輸零點對提高濾波器的選擇性起到明顯的效果。本文將交叉耦合技術應用到SIW平衡濾波器之中,設計了多款基于SIW結構的具有高選擇性、高共模抑制特性的單通帶和雙通帶平衡濾波器。本文首先介紹了SIW一些基本理論及幾種典型的平衡濾波器結構,在此基礎上設計了一款基于SIW的K波段單通帶平衡濾波器的結構,此濾波器性能優(yōu)良但通帶選擇性較差,因此對此結構做出了改進。通過在上下金屬表面蝕刻S型槽線,引入混合電磁耦合,在通帶兩側各引入一個零點,提高了平衡濾波器的通帶選擇性,得到了一個具有高共模抑制、高選擇性等特性優(yōu)良的單通帶平衡濾波器。在設計的高選擇性單通帶平衡濾波器基礎上,提出了兩種實現雙通帶平衡濾波器的方法。第一種方法通過增加非諧振腔體,在通帶內引入可控零點實現雙通帶,由于增加了TE102模式,共模抑制特性得到顯著提高；第二種方法則通過激勵腔體的高次模來實現雙通帶,即使用腔體的TE102模和TE104模來構建濾波器的第二通帶,并通過在腔體上金屬面蝕刻對稱槽線提高了共模抑制特性。兩種高選擇性雙通帶平衡濾波器的實測結果與仿真結果吻合度較高。
[Abstract]:......
【學位授予單位】：南京理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN713

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本文編號：1351986