本文關鍵詞：互補雙極集成電路（CBIC）工藝平臺的開發(fā)及仿真設計　出處：《北京工業(yè)大學》2016年碩士論文　論文類型：學位論文

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【摘要】：隨著科技的不斷發(fā)展進步,很多電子系統(tǒng)中對集成運算放大器速度、帶寬以及更小能耗都提出了更高的性能要求而互補雙極模擬電路工藝滿足這些要求的新高速寬帶集成運算放大器最佳選擇。互補雙極工藝能在同一芯片上獲得具有極小寄生電容的高頻縱向NPN晶體管和PNP晶體管,這樣可以在很小的靜態(tài)電流下具有很高的特征頻率和工作速度,使運算放大器具有高速、大電流驅動、高頻特性好等優(yōu)勢。燕東微電子有限公司原有的IC工藝生產(chǎn)平臺中,縱向PNP管不具備自由集電極,而橫向PNP晶體管的特征頻率只有縱向PNP晶體管的1%左右。本論文基于燕東公司現(xiàn)有的2um雙極集成電路工藝,以計算機輔助軟件進行工藝流程及器件結構設計,并以仿真軟件的仿真結果為指導,在生產(chǎn)線上開發(fā)了2umCBIC工藝。首先,在現(xiàn)有成熟工藝平臺基礎上,針對CBIC工藝平臺中的核心內容——自由集電極縱向PNP晶體管的隔離技術進行探討、建模。通過TCAD軟件進行流程仿真、結構仿真,根據(jù)仿真結果選取最優(yōu)工藝方案,得出相關工藝條件,實現(xiàn)以PN結進行隔離。并設置單項試驗,將單項實驗所得實際數(shù)據(jù)與仿真結果進行對比、分析。然后,針對基于互補雙極工藝特定產(chǎn)品(LF50AB),根據(jù)產(chǎn)品要求的電參數(shù)建模,用TCAD軟件進行參數(shù)仿真,實現(xiàn)自由集電極縱向PNP晶體管的的制造并使之電參數(shù)與NPN晶體管相近,通過仿真得出相近的PNP管及NPN管電特性曲線。再用L-Edit進行產(chǎn)品的版圖及PCM版圖設計,并用T-Spice軟件對版圖進行功能仿真。最后,根據(jù)仿真結果改進原有工藝,優(yōu)化生產(chǎn)工藝流程,并實際投片生產(chǎn)。對流片結果與仿真結果進行對比,驗證自由集電極縱向PNP晶體管的各項電特性。對產(chǎn)品的不足給出改進方案。
【學位授予單位】：北京工業(yè)大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN405;TP391.9

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本文編號：1330337