本文關(guān)鍵詞：開關(guān)電源中IGBT模塊散熱分析　出處：《強激光與粒子束》2016年07期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：基于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的實際結(jié)構(gòu),建立了開關(guān)電源IGBT模塊有限元等效熱分析模型和雙熱阻模型。在開關(guān)電源實際工作情況下進行溫度測量實驗,結(jié)合實際運行時的電壓電流曲線,給出模塊的總損耗。仿真擬合出熱特性主要參數(shù)瞬態(tài)熱阻,與廠商數(shù)據(jù)手冊提供的實測熱阻曲線進行對比,兩者曲線基本一致,驗證了有限元熱分析等效模型合理。分別將有限元等效模型與雙熱阻模型進行穩(wěn)態(tài)熱仿真,與實驗對比分析,得到實際工況下IGBT模塊溫度場分布及芯片結(jié)溫。分析雙熱阻模型的優(yōu)缺點,并提出了改進方案。
【作者單位】： 西南交通大學物理科學與技術(shù)學院;
【基金】：中央高校基本科研業(yè)務(wù)費專項資金項目(SWJTU14CX086,SWJTU14CX089,SWJTU14CX090)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 隨著電力電子器件的發(fā)展,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊已經(jīng)廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變換器、變頻器等高壓大容量電力電子領(lǐng)域[1-2]。隨著IGBT模塊電壓等級的提升、開關(guān)頻率的提高,致使開關(guān)管的損耗也不斷上升,模塊內(nèi)部的發(fā)熱量也越來越高。IGBT的工作特性受溫度影響較大,半導

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1 N.沃馬羅;M.奧蘇基;Y.霍希;S.約希沃塔里;T.米耶塞凱;Y.西基;花蕾;;1200V和1700V新型IGBT模塊溝槽及電場截止型IGBT低注入續(xù)流二極管[J];電力電子;2004年04期

2 Jussi Karttunen;Samuli Kallio;Pertti Silventoinen;鄭鵬洲;;多芯片IGBT模塊實時熱模型的應(yīng)用[J];電力電子;2012年04期

3 江興;;IGBT芯片和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬勃發(fā)展[J];半導體信息;2012年02期

4 喬冠梁;丁遠翔;丁學文;;IGBT模塊的一種驅(qū)動設(shè)計[J];國外電子元器件;2007年10期

5 湯姆·亞當斯;;IGBT模塊焊錫厚度均勻性的檢測[J];電力電子;2013年02期

6 孫國印;IGBT模塊應(yīng)用中過電壓的抑制[J];電力電子技術(shù);2002年04期

7 宮崎裕二;村\『陫;日吉道明;;適合中高頻應(yīng)用的NFM系列IGBT模塊[J];電力電子技術(shù);2006年04期

8 翟超;郭清;盛況;;IGBT模塊封裝熱應(yīng)力研究[J];機電工程;2013年09期

9 吳武臣,張華,董利民,Ｍ．Ｈｅｌｄ,Ｐ．Ｓｃａｃｃｏ,Ｐ．Ｊａｃｏｂ;大功率半橋IGBT模塊的鎖定效應(yīng)研究[J];半導體技術(shù);1997年06期

10 鄭冬冬;;IR發(fā)布低溫高速隔離式IGBT模塊[J];半導體信息;2003年02期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 劉蕩波;;IGBT模塊及其應(yīng)用[A];中國電工技術(shù)學會電力電子學會第八屆學術(shù)年會論文集[C];2002年

2 劉蕩波;張立;張歧寧;王曉寶;;IGBT模塊及其應(yīng)用[A];展望新世紀——’02學術(shù)年會論文集[C];2002年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 江蘇 趙建南;對IGBT模塊過熱保護設(shè)定溫度的看法[N];電子報;2004年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 吳煜;T字型三電平IGBT模塊瞬態(tài)行為研究[D];復旦大學;2014年

2 鄒凱凱;高壓IGBT模塊動態(tài)特性測試與建模[D];華北電力大學;2015年

3 秦星;風電變流器IGBT模塊結(jié)溫計算及功率循環(huán)能力評估[D];重慶大學;2014年

4 王彥剛;IGBT模塊熱行為及可靠性研究[D];北京工業(yè)大學;2000年

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本文編號：1316549