高壓P-i-N二極管關(guān)斷瞬態(tài)綜合失效機(jī)理分析
發(fā)布時(shí)間:2017-12-13 06:59
本文關(guān)鍵詞:高壓P-i-N二極管關(guān)斷瞬態(tài)綜合失效機(jī)理分析
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【摘要】:針對商用高電壓大功率多芯片P-i-N二極管在鉗位型電感負(fù)載電路中,在額定電氣參數(shù)下發(fā)生的瞬態(tài)失效現(xiàn)象,分別從電路布局和器件機(jī)理層面討論了各因素對二極管芯片失效的作用影響。首先,通過考察二極管模塊內(nèi)部失效芯片的位置和故障波形,得出整個電力電子裝置的可靠性是由失效風(fēng)險(xiǎn)最高的局部芯片決定而非由功率模塊的堅(jiān)固性決定。其次,根據(jù)二極管芯片在深度動態(tài)雪崩情況下所產(chǎn)生絲狀電流的現(xiàn)象,得出由芯片電流密度不均所引發(fā)的結(jié)溫-電流密度正反饋機(jī)制是導(dǎo)致多芯片功率模塊失效的最終原因。最后,根據(jù)失效表征與測試條件,提出了由綜合失效誘因?qū)е碌亩嘈酒K動態(tài)失效新模式。結(jié)論表明本文討論的大功率多芯片模塊所發(fā)生的失效現(xiàn)象,是多失效誘因綜合作用所引發(fā)的,而非單一因素超限的結(jié)果。
【作者單位】: 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【基金】:國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(973計(jì)劃)資助項(xiàng)目(2014CB247400)
【分類號】:TN312.4
【正文快照】: 0引言以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為代表的全控型器件因其開關(guān)速度高、導(dǎo)通損耗低以及過電流能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于機(jī)車牽引、風(fēng)力發(fā)電和柔性直流輸電等高電壓大功率電力變換應(yīng)用場合[1,2]。據(jù)調(diào)研表明,工業(yè)應(yīng)用中功率器件的失效率在失效元器件里面占有率最高,占總失效率的,
本文編號:1284190
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