本文關(guān)鍵詞：第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用及制造工藝概況

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【摘要】：對(duì)當(dāng)前的第三代半導(dǎo)體材料的基本特性及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行研究,報(bào)告了Si C和Ga N材料的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì),并對(duì)其制造工藝進(jìn)行了簡(jiǎn)要闡述。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所;
【分類號(hào)】：TN304
【正文快照】： 曾經(jīng)“中流砥柱”的硅功率器件已日趨其材料發(fā)展的極限,難以滿足當(dāng)今社會(huì)發(fā)展對(duì)于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以Si C為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其優(yōu)異屬性,已成為突破口,正在迅速崛起。第三代半導(dǎo)體材料作為新興半導(dǎo)體材料,如Ga N和Si

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本文編號(hào)：1253853